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STB47N60DM6AG

Name: STMicroelectronics STB47N60DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB47N60DM6AG
Price: 32.16 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STB47N60DM6AG

Fabricante N.º:

STB47N60DM6AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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	S/32.16	S/32.16
	S/21.84	S/218.40
	S/16.60	S/1,660.00
	S/16.51	S/8,255.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/15.27	S/15,270.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	36 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	55 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	250 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Tiempo de caída:	9 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.5 ns
Serie:	STB47N60DM6AG
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	57 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Peso de la unidad:	1.380 g

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.