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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,318

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp

STP30NF10
STMicroelectronics
1: S/11.83
2,047En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP30NF10

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511-STP30NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp

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2,047En existencias

S/11.83

S/5.85

S/5.29

S/4.24

S/4.00

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 30 Amp

STP36NF06L
STMicroelectronics
1: S/7.70
7,086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP36NF06L

N.º de artículo de Mouser
511-STP36NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 30 Amp

Hoja de datos

7,086En existencias

S/7.70

S/3.69

S/3.29

S/2.60

Ver

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

30 A

40 mOhms

- 18 V, 18 V

1 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

STP40NF20
STMicroelectronics
1: S/16.81
1,283En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP40NF20

N.º de artículo de Mouser
511-STP40NF20

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

Hoja de datos

1,283En existencias

S/16.81

S/8.13

S/7.40

S/6.45

Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

40 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp

STP55NF06
STMicroelectronics
1: S/8.51
3,527En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP55NF06

N.º de artículo de Mouser
511-STP55NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 55 Amp

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3,527En existencias

S/8.51

S/4.20

S/3.59

S/3.08

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Min.: 1
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.5 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

STP60NF06
STMicroelectronics
1: S/9.33
3,396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP60NF06

N.º de artículo de Mouser
511-STP60NF06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

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Hoja de datos

3,396En existencias

S/9.33

S/4.18

S/3.68

S/3.06

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

STP60NF06L
STMicroelectronics
1: S/9.98
1,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP60NF06L

N.º de artículo de Mouser
511-STP60NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

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Hoja de datos

1,999En existencias

S/9.98

S/5.03

S/4.56

S/3.72

S/3.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

14 mOhms

- 15 V, 15 V

1 V

35 nC

- 65 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

STP75NF20
STMicroelectronics
1: S/17.37
2,522En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP75NF20

N.º de artículo de Mouser
511-STP75NF20

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

Hoja de datos

2,522En existencias

S/17.37

S/8.90

S/8.04

S/6.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

75 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

84 nC

- 50 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 Amp

STS4DNF60L
STMicroelectronics
1: S/11.70
3,380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS4DNF60L

N.º de artículo de Mouser
511-STS4DNF60L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 Amp

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3,380En existencias

Cinta cortada

S/11.70

S/7.48

S/4.90

S/4.05

S/3.92

Envase tipo carrete

S/3.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

4 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 5 Amp

STS5NF60L
STMicroelectronics
1: S/5.59
4,418En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS5NF60L

N.º de artículo de Mouser
511-STS5NF60L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 5 Amp

Hoja de datos

4,418En existencias

Cinta cortada

S/5.59

S/3.47

S/2.30

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

5 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 V 0.017 Ohm 7.5 A STripFET II

STS7NF60L
STMicroelectronics
1: S/11.44
3,050En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS7NF60L

N.º de artículo de Mouser
511-STS7NF60L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 V 0.017 Ohm 7.5 A STripFET II

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Hoja de datos

3,050En existencias

Cinta cortada

S/11.44

S/7.35

S/5.07

S/4.08

S/3.91

Envase tipo carrete

S/3.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

7.5 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

SH32N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/76.02
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SH32N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-SH32N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

45En existencias

Cinta cortada

S/76.02

S/55.81

S/39.95

Envase tipo carrete

S/39.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 200

N-Channel

650 V

32 A

89 mOhms

AQG 324

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET

STD65N160M9
STMicroelectronics
1: S/15.70
770En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD65N160M9

N.º de artículo de Mouser
511-STD65N160M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

770En existencias

Cinta cortada

S/15.70

S/10.28

S/7.22

S/6.32

S/6.06

Envase tipo carrete

S/5.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

STD80N450K6
STMicroelectronics
1: S/17.76
816En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N450K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N450K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

816En existencias

Cinta cortada

S/17.76

S/11.70

S/8.26

S/7.48

S/7.05

Envase tipo carrete

S/6.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

17.3 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8

STL305N4LF8AG
STMicroelectronics
1: S/12.73
401En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL305N4LF8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL305N4LF8AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8

Obtenga más información

Hoja de datos

401En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/8.26

S/5.72

S/4.73

S/4.56

Envase tipo carrete

S/4.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

40 V

304 A

1 mOhms

- 16 V, 16 V

2 V

70 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

STP65N150M9
STMicroelectronics
1: S/20.00
101En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP65N150M9

N.º de artículo de Mouser
511-STP65N150M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

101En existencias

S/20.00

S/11.09

S/9.50

S/8.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

3.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

STP80N1K1K6
STMicroelectronics
1: S/10.23
1,060En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80N1K1K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N1K1K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,060En existencias

S/10.23

S/6.62

S/4.52

S/3.59

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

STP80N450K6
STMicroelectronics
1: S/19.01
179En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80N450K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N450K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

179En existencias

S/19.01

S/10.23

S/9.25

S/7.61

S/7.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

450 mOhms

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

STP80N600K6
STMicroelectronics
1: S/13.67
828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80N600K6

N.º de artículo de Mouser
511-STP80N600K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

828En existencias

S/13.67

S/6.88

S/6.36

S/5.33

S/4.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

10.7 nC

- 55 C

+ 150 C

86 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STWA60N043DM9
STMicroelectronics
1: S/46.87
82En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N043DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N043DM9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

82En existencias

S/46.87

S/33.71

S/29.89

S/29.15

S/28.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

56 A

43 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78.6 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 40 Amp

STP40NF03L
STMicroelectronics
1: S/6.62
1,320En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP40NF03L

N.º de artículo de Mouser
511-STP40NF03L

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 40 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,320En existencias

S/6.62

S/3.27

S/2.78

S/2.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

18 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

STP60NF06FP
STMicroelectronics
1: S/8.64
441En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP60NF06FP

N.º de artículo de Mouser
511-STP60NF06FP

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp

Hoja de datos

441En existencias

S/8.64

S/4.17

S/3.73

S/2.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

60 V

60 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II

STP80NF70
STMicroelectronics
1: S/11.40
247En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP80NF70

N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF70

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II

Hoja de datos

247En existencias

S/11.40

S/6.02

S/5.12

S/4.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

68 V

98 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

75 nC

- 55 C

+ 175 C

190 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

PD57018S-E
STMicroelectronics
1: S/125.90
178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57018S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57018S-E

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Hoja de datos

178En existencias

S/125.90

S/98.51

S/96.62

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerSO-10RF-2

N-Channel

1 Channel

65 V

2.5 A

760 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

- 65 C

+ 165 C

31.7 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

STB10NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/19.91
1,937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB10NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,937En existencias

Cinta cortada

S/19.91

S/13.20

S/9.42

S/8.77

Envase tipo carrete

S/8.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

STB11NK40ZT4
STMicroelectronics
1: S/13.72
1,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NK40ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NK40Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

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1,888En existencias

Cinta cortada

S/13.72

S/8.94

S/6.19

S/5.25

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

9 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W