STP80NF70

STMicroelectronics
511-STP80NF70
STP80NF70

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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En existencias: 247

Existencias:
247 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
10 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
S/ -.--
Precio ext.:
S/ -.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/ 11.40 S/ 11.40
S/ 6.02 S/ 60.20
S/ 5.12 S/ 512.00
S/ 4.14 S/ 2,070.00
S/ 3.67 S/ 3,670.00
S/ 3.40 S/ 6,800.00
S/ 3.31 S/ 16,550.00
S/ 3.29 S/ 32,900.00
25,000 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
68 V
98 A
9.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
STripFET
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 75 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 60 ns
Serie: STP80NF70
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 90 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99