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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,318

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII

STL130N8F7
STMicroelectronics
1: S/11.87
7,064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL130N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL130N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII

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Hoja de datos

7,064En existencias

Cinta cortada

S/11.87

S/8.90

S/6.79

S/5.89

S/5.50

Envase tipo carrete

S/5.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL16N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.99
3,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL16N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL16N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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Hoja de datos

3,116En existencias

Cinta cortada

S/12.99

S/8.43

S/5.85

S/4.90

S/4.86

Envase tipo carrete

S/4.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

355 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

STP14NK50Z
STMicroelectronics
1: S/22.15
681En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP14NK50Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP14NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

681En existencias

S/22.15

S/9.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A

STP14NK60ZFP
STMicroelectronics
1: S/21.20
761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP14NK60ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP14NK60ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A

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Hoja de datos

761En existencias

S/21.20

S/8.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.5 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STP15N95K5
STMicroelectronics
1: S/20.98
884En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP15N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

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884En existencias

S/20.98

S/13.80

S/10.79

S/9.59

S/8.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

12 A

410 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STP21N90K5
STMicroelectronics
1: S/31.52
1,395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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Hoja de datos

1,395En existencias

S/31.52

S/17.07

S/15.65

S/14.36

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

18.5 A

299 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2

STP40N60M2
STMicroelectronics
1: S/22.83
995En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2

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Hoja de datos

995En existencias

S/22.83

S/13.03

S/11.87

S/10.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

88 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 3.0 A Zener SuperMESH

STP4NK80Z
STMicroelectronics
1: S/11.83
2,100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP4NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 3.0 A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

2,100En existencias

S/11.83

S/4.82

S/4.39

S/3.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

22.5 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 800V 13 Ohm 1A

STQ1NK80ZR-AP
STMicroelectronics
1: S/5.46
4,992En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STQ1NK80ZR-AP

N.º de artículo de Mouser
511-STQ1NK80ZR-AP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 800V 13 Ohm 1A

Obtenga más información

Hoja de datos

4,992En existencias

S/5.46

S/3.42

S/2.26

S/1.76

Envase tipo carrete

S/1.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

800 V

300 mA

16 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

Ammo Pack

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

STW65N60DM6
STMicroelectronics
1: S/33.58
508En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

508En existencias

S/33.58

S/22.92

S/16.81

S/16.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

71 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel

STB36NF06LT4
STMicroelectronics
1: S/9.12
1,248En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB36NF06LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB36NF06LT4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.032Ohm 30A N-Channel

Hoja de datos

1,248En existencias

Cinta cortada

S/9.12

S/5.85

S/3.94

S/3.14

Envase tipo carrete

S/2.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

30 A

40 mOhms

- 18 V, 18 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

STP80NF55-06
STMicroelectronics
1: S/11.95
1,478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP80NF55-06

N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF55-06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,478En existencias

S/11.95

S/5.93

S/5.46

S/4.69

S/4.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

142 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

STP11NM60FDFP
STMicroelectronics
1: S/17.07
537En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM60FDFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60FDFP

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp

Hoja de datos

537En existencias

S/17.07

S/12.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

450 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 65 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL45P3LLH6
STMicroelectronics
1: S/8.30
2,917En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL45P3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STL45P3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Hoja de datos

2,917En existencias

Cinta cortada

S/8.30

S/5.20

S/3.42

S/2.71

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

P-Channel

1 Channel

30 V

45 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

4.8 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP16N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.21
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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Hoja de datos

251En existencias

Más información disponible

S/12.21

S/7.87

S/5.63

S/4.64

S/4.08

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STB12N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/14.53
204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB12N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB12N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

Hoja de datos

204En existencias

Cinta cortada

S/14.53

S/9.46

S/7.27

S/6.06

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

430 mOhms

5 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

STL4N10F7
STMicroelectronics
1: S/4.21
823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL4N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL4N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

Obtenga más información

Hoja de datos

823En existencias

Cinta cortada

S/4.21

S/2.63

S/1.71

S/1.32

S/1.17

Envase tipo carrete

S/1.00

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

N-Channel

1 Channel

100 V

4.5 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH

STL10LN80K5
STMicroelectronics
1: S/17.24
923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL10LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL10LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH

Hoja de datos

923En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/17.24

S/11.31

S/8.34

S/7.40

S/6.54

Envase tipo carrete

S/6.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-VHV-8

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

660 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M

STL64DN4F7AG
STMicroelectronics
1: S/9.29
579En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL64DN4F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL64DN4F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel, 40 V, 7.0 mOhm typ., 40 A, STripFET F7 Power M

Hoja de datos

579En existencias

Cinta cortada

S/9.29

S/5.98

S/4.12

S/3.49

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.77

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU6N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.92
45En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU6N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU6N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

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Comentarios de Producto

45En existencias

Más información disponible

S/6.92

S/3.59

S/2.67

S/2.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

1.35 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

9.8 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET

STL52DN4LF7AG
STMicroelectronics
1: S/8.60
2,805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL52DN4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL52DN4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 40 V, 9 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET

Hoja de datos

2,805En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/4.82

S/3.93

S/3.65

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.06

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

2 Channel

40 V

18 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

9.4 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

STB10N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.45
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A

Hoja de datos

1,075En existencias

Cinta cortada

S/10.45

S/6.75

S/4.60

S/3.73

Envase tipo carrete

S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7.5 A

600 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

STD3NM60N
STMicroelectronics
1: S/7.48
2,222En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

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Hoja de datos

2,222En existencias

Cinta cortada

S/7.48

S/4.07

S/2.99

S/2.54

S/2.31

Envase tipo carrete

S/2.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2.5 A

1.8 Ohms

- 25 V, 25 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STD6N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.56
2,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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Hoja de datos

2,265En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.46

S/3.71

S/3.14

S/2.73

Envase tipo carrete

S/2.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.5 A

1.06 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF26N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.66
981En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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Hoja de datos

981En existencias

S/14.66

S/7.40

S/6.67

S/5.42

S/5.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

165 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W