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STB12N60DM2AG

Name: STMicroelectronics STB12N60DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB12N60DM2AG
Price: 14.53 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STB12N60DM2AG

Fabricante N.º:

STB12N60DM2AG

Fabricante:

STMicroelectronics

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/23.00)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/14.53	S/14.53
	S/9.46	S/94.60
	S/7.27	S/727.00
	S/6.06	S/3,030.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	S/5.25	S/5,250.00

† S/23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	430 mOhms
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	14.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	MDmesh
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	13 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1-N Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns