Microchip Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 30 A TO-268 99En existencias
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Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 800 V 48 A TO-247 MAX 3En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 49 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 305 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1000 V 7 A TO-247 86En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.76 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 350V 0.12A 3P TO-92 1,803En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 350 V 120 mA 25 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1 W Depletion Reel, Cut Tape

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm 1,338En existencias
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Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 350 V 230 mA 15 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm 755En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 P-Channel 1 Channel 350 V 180 mA 15 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,615En existencias
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: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 30 V 640 mA 3.3 Ohms - 30 V, 30 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 800 V 17 A TO-247 19En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 18 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 300 V 61 mOhm TO-247 36En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 300 V 61 mOhm TO-268 38En existencias
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Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 300 V 54 A 61 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,735En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 100 V 500 mA 15 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Ammo Pack
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Enhancmnt Mode MOSFET 2,632En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 P-Channel 1 Channel 40 V 250 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 740 mW Enhancement Reel, Cut Tape

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 800 V 75 Ohm TO-247 29En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 750 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 195 nC - 55 C + 150 C 260 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 800 V 12 A TO-247 58En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 335 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 10 Ohm TO-247 MAX 27En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 47 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 470 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 56 A TO-264 42En existencias
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 56 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 220 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Tube
Microchip Technology APT5020BVFRG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS5 500 V 20 Ohm TO-247 1,038En existencias
901En pedido
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 225 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268 161En existencias
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Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 9 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 80 nC - 55 C + 150 C 335 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,765En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 350 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Ammo Pack
Microchip Technology APT1003RKLLG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 1000 V 3 Ohm TO-220 11En existencias
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Si Tube
Microchip Technology APT10050LVFRG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS5 1000 V 50 Ohm TO-264 70En existencias
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 21 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 500 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,570En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 330 mA 3 Ohms - 30 V, 30 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,749En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 250 V 215 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 600 mV - 55 C + 150 C 740 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,986En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 240 V 190 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Ammo Pack
Microchip Technology APT10050B2VFRG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS5 1000 V 50 Ohm TO-247 MAX 1En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 1 kV 21 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 335 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube