.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Microchip Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 511

Filtros aplicados:

Fabricante = Microchip

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm

TN5335K1-G
Microchip Technology
1: S/4.04
28,776En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TN5335K1-G

N.º de artículo de Mouser
689-TN5335K1-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm

Hoja de datos

28,776En existencias

Cinta cortada

S/4.04

S/4.02

S/3.57

S/3.27

Envase tipo carrete

S/3.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

350 V

110 mA

15 Ohms

- 20 V, 20 V

600 mV

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE

DN2625DK6-G
Microchip Technology
1: S/13.55
20,623En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DN2625DK6-G

N.º de artículo de Mouser
689-DN2625DK6-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE

Hoja de datos

20,623En existencias

S/13.55

S/12.60

S/11.09

S/10.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

2 Channel

250 V

1.1 A

3.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

7.04 nC

- 55 C

+ 150 C

Depletion

Tray

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 7Ohm

TN5325N3-G
Microchip Technology
1: S/3.23
4,184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TN5325N3-G

N.º de artículo de Mouser
689-TN5325N3-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 7Ohm

Hoja de datos

4,184En existencias

S/3.23

S/2.62

S/2.41

S/2.37

S/2.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

250 V

215 mA

7 Ohms

- 20 V, 20 V

600 mV

- 55 C

+ 150 C

740 mW

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 240V 1.25Ohm

VN2224N3-G
Microchip Technology
1: S/17.80
703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VN2224N3-G

N.º de artículo de Mouser
689-VN2224N3-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 240V 1.25Ohm

Hoja de datos

703En existencias

S/17.80

S/14.32

S/12.38

S/11.48

S/11.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

240 V

540 mA

1.25 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.9Ohm

VP2206N2
Microchip Technology
1: S/69.36
413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VP2206N2

N.º de artículo de Mouser
689-VP2206N2

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.9Ohm

Hoja de datos

413En existencias

S/69.36

S/68.54

S/63.90

S/62.78

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-39-3

P-Channel

1 Channel

60 V

750 mA

900 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 200 V 22 mOhm TO-264

APT20M22LVRG
Microchip Technology
1: S/84.28
92En existencias
129En pedido

N.º de artículo del Fabricante
APT20M22LVRG

N.º de artículo de Mouser
494-APT20M22LVRG

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 200 V 22 mOhm TO-264

Hoja de datos

92En existencias

129En pedido

S/84.28

S/81.92

S/80.54

S/69.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

100 A

22 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

435 nC

- 55 C

+ 150 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET

TC6215TG-G
Microchip Technology
1: S/7.96
2,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TC6215TG-G

N.º de artículo de Mouser
689-TC6215TG-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET

Hoja de datos

2,125En existencias

Cinta cortada

S/7.96

S/6.62

S/5.98

Envase tipo carrete

S/5.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,300

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel, P-Channel

2 Channel

150 V

1.5 A, 3.8 A

4 Ohms, 7 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 5 Ohm

TN2640K4-G
Microchip Technology
1: S/12.26
2,946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TN2640K4-G

N.º de artículo de Mouser
689-TN2640K4-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 5 Ohm

Hoja de datos

2,946En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/10.23

S/9.25

S/9.16

Envase tipo carrete

S/8.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

2 A

5 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Enhancmnt Mode MOSFET

TP2540N3-G-P002
Microchip Technology
1: S/8.13
2,668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP2540N3-G-P002

N.º de artículo de Mouser
689-TP2540N3-G-P002

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Hoja de datos

2,668En existencias

Cinta cortada

S/8.13

S/6.75

S/6.15

S/5.29

Envase tipo carrete

S/5.29

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Through Hole

TO-92-3

P-Channel

1 Channel

400 V

86 mA

30 Ohms

- 20 V, 20 V

2.4 V

- 55 C

+ 150 C

740 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

VN2460N3-G-P014
Microchip Technology
1: S/6.92
3,309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VN2460N3-G-P014

N.º de artículo de Mouser
689-VN2460N3-G-P014

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Hoja de datos

3,309En existencias

S/6.92

S/5.76

S/5.25

S/4.56

Envase tipo carrete

S/4.56

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

600 V

160 mA

25 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Ammo Pack

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.8V-rated reverse-blocking PFET

MIC94051YM4-TR
Microchip Technology
1: S/2.75
3,618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MIC94051YM4-TR

N.º de artículo de Mouser
998-MIC94051YM4TR

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.8V-rated reverse-blocking PFET

Hoja de datos

3,618En existencias

Cinta cortada

S/2.75

S/2.32

S/2.11

Envase tipo carrete

S/2.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-143-4

P-Channel

1 Channel

6 V

1.8 A

160 mOhms

- 6 V, 6 V

1.2 V

- 40 C

+ 150 C

568 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 7Ohm

TN5325N8-G
Microchip Technology
1: S/3.35
18,648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TN5325N8-G

N.º de artículo de Mouser
689-TN5325N8-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 7Ohm

Hoja de datos

18,648En existencias

Cinta cortada

S/3.35

S/2.75

S/2.54

S/2.09

Envase tipo carrete

S/2.09

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

SOT-89-3

N-Channel

1 Channel

250 V

316 mA

7 Ohms

- 20 V, 20 V

600 mV

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120V 6Ohm

VN1206L-G
Microchip Technology
1: S/9.29
1,476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VN1206L-G

N.º de artículo de Mouser
689-VN1206L-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120V 6Ohm

Hoja de datos

1,476En existencias

S/9.29

S/7.74

S/7.01

S/6.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

120 V

230 mA

6 Ohms

- 30 V, 30 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 1KOhm

LND250K1-G
Microchip Technology
1: S/2.28
26,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LND250K1-G

N.º de artículo de Mouser
689-LND250K1-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 1KOhm

Hoja de datos

26,788En existencias

Cinta cortada

S/2.28

S/1.94

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

500 V

13 mA

1 kOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Depletion

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 15Ohm

TP2640LG-G
Microchip Technology
1: S/10.71
1,526En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP2640LG-G

N.º de artículo de Mouser
689-TP2640LG-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 15Ohm

Hoja de datos

1,526En existencias

Cinta cortada

S/10.71

S/8.90

S/8.13

S/7.01

Envase tipo carrete

S/6.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,300

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

400 V

210 mA

15 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

VN0550N3-G-P013
Microchip Technology
1: S/8.34
1,937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VN0550N3-G-P013

N.º de artículo de Mouser
689-VN0550N3-G-P013

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Hoja de datos

1,937En existencias

S/8.34

S/7.01

S/6.41

S/5.59

Envase tipo carrete

S/5.59

S/5.55

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

500 V

50 mA

45 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Ammo Pack

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3Ohm

VN0606L-G
Microchip Technology
1: S/6.45
3,251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VN0606L-G

N.º de artículo de Mouser
689-VN0606L-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3Ohm

Hoja de datos

3,251En existencias

S/6.45

S/4.73

S/4.39

S/4.27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

60 V

330 mA

3 Ohms

- 30 V, 30 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Enhancmnt Mode MOSFET

VP2206N3-G-P003
Microchip Technology
1: S/11.48
3,365En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VP2206N3-G-P003

N.º de artículo de Mouser
689-VP2206N3-G-P003

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Hoja de datos

3,365En existencias

Cinta cortada

S/11.48

S/9.59

S/8.73

S/7.57

Envase tipo carrete

S/7.57

S/7.53

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Through Hole

TO-92-3

P-Channel

1 Channel

60 V

640 mA

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

3.5 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DEPLETION MODE 500V 10 Ohms

DN2450N8-G
Microchip Technology
1: S/3.87
5,396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DN2450N8-G

N.º de artículo de Mouser
689-DN2450N8-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DEPLETION MODE 500V 10 Ohms

Hoja de datos

5,396En existencias

Cinta cortada

S/3.87

S/3.27

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.97

S/2.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

SOT-89-3

N-Channel

1 Channel

500 V

160 mA

10 Ohms

- 20 V, 20 V

3.5 V

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Depletion

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92

DN2540N3-G-P003
Microchip Technology
1: S/4.39
1,804En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DN2540N3-G-P003

N.º de artículo de Mouser
689-DN2540N3-G-P003

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92

Hoja de datos

1,804En existencias

Cinta cortada

S/4.39

S/3.70

S/3.35

Envase tipo carrete

S/3.35

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

400 V

120 mA

25 Ohms

- 20 V, 20 V

3.5 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Depletion

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16.5V 1.5Ohm

LP0701LG-G
Microchip Technology
1: S/10.11
3,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
LP0701LG-G

N.º de artículo de Mouser
689-LP0701LG-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16.5V 1.5Ohm

Hoja de datos

3,163En existencias

Cinta cortada

S/10.11

S/10.06

S/9.12

S/8.34

Ver

Envase tipo carrete

S/7.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,300

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

16.5 V

700 mA

1.5 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 18V 2.5Ohm

TN2501N8-G
Microchip Technology
1: S/7.01
1,752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TN2501N8-G

N.º de artículo de Mouser
689-TN2501N8-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 18V 2.5Ohm

Hoja de datos

1,752En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/5.85

S/5.38

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.90

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

SOT-89-3

N-Channel

1 Channel

18 V

400 mA

2.5 Ohms

- 15 V, 15 V

300 mV

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 60 mOhm TO-264 MAX

APT50M60L2VRG
Microchip Technology
1: S/163.27
75En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT50M60L2VRG

N.º de artículo de Mouser
494-APT50M60L2VRG

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 60 mOhm TO-264 MAX

Hoja de datos

75En existencias

S/163.27

S/141.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

77 A

60 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

- 55 C

+ 150 C

833 W

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 1000 V 78 Ohm TO-247

APT10078BLLG
Microchip Technology
1: S/96.32
105En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT10078BLLG

N.º de artículo de Mouser
494-APT10078BLLG

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 1000 V 78 Ohm TO-247

Hoja de datos

105En existencias

S/96.32

S/93.61

S/92.02

S/82.52

S/79.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

14 A

780 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

403 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 800 V 56 Ohm TO-247

APT8056BVRG
Microchip Technology
1: S/67.12
142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT8056BVRG

N.º de artículo de Mouser
494-APT8056BVRG

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 800 V 56 Ohm TO-247

Hoja de datos

142En existencias

S/67.12

S/64.46

S/62.91

S/58.78

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

560 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

370 W

Enhancement

Tube

Microchip Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D3PAK-3
DFN-12
DFN-8
DPAK-3 (TO-252-3)
FlatPack-14
LCC-20
QFN-56
SC-70-6
SMD-0.5-3
SMD-2-3
SMD-3
SOIC-8
SOT-143-4
SOT-23-3
SOT-23-5
SOT-89-3
T-MAX-3
TO-116-14
TO-204AA-2
TO-220-3

6 V
9 V
10 V
16.5 V
18 V
20 V
30 V
40 V
50 V
60 V
80 V
90 V
100 V
120 V
150 V
200 V
220 V
240 V
250 V
300 V

13 mA
30 mA
50 mA
54 mA
72 mA
85 mA
86 mA
100 mA
110 mA
115 mA
120 mA
125 mA
134 mA
135 mA
136 mA
150 mA
160 mA
170 mA
175 mA
180 mA

9 mOhms
11 mOhms
16 mOhms
18 mOhms
19 mOhms
20 mOhms
22 mOhms
25 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
37 mOhms
38 mOhms
42 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
60 mOhms
61 mOhms
65 mOhms

300 mV
500 mV
600 mV
800 mV
1 V
1 V, 2.4 V
1.2 V
1.5 V
1.6 V
2 V
2 V, 2.4 V
2.1 V
2.4 V
2.5 V
2.7 V
3 V
3.5 V
4 V
4 V, 4.5 V
4.48 V

7.04 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31 nC
32 nC
34 nC
43 nC
50 nC
57 nC
58 nC
60 nC
64 nC
65 nC
72 nC
75 nC
80 nC
85 nC
88 nC
90 nC

1.135 mW
270 mW
360 mW
490 mW
568 mW
740 mW
1 W
1.3 W
1.5 W
1.6 W
2.5 W
6 W
6.25 W
15 W
75 W
135 W
139 W
175 W
208 W
219 W