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Microchip Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 511

Filtros aplicados:

Fabricante = Microchip

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 800 V 43 Ohm TO-247

APT8043BFLLG
Microchip Technology
1: S/78.60
96En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT8043BFLLG

N.º de artículo de Mouser
494-APT8043BFLLG

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 800 V 43 Ohm TO-247

Hoja de datos

96En existencias

S/78.60

S/75.47

S/72.71

S/71.94

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

20 A

430 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

403 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Linear 500 V 58 A TO-247 MAX

APL502B2G
Microchip Technology
1: S/231.47
34En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APL502B2G

N.º de artículo de Mouser
494-APL502B2G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Linear 500 V 58 A TO-247 MAX

Hoja de datos

34En existencias

S/231.47

S/213.45

S/211.60

S/191.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

T-MAX-3

N-Channel

1 Channel

500 V

58 A

90 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

- 55 C

+ 150 C

730 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 200 V 16 mOhm TO-264

APT20M16LFLLG
Microchip Technology
1: S/105.74
151En existencias
108En pedido

N.º de artículo del Fabricante
APT20M16LFLLG

N.º de artículo de Mouser
494-APT20M16LFLLG

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 200 V 16 mOhm TO-264

Hoja de datos

151En existencias

108En pedido

S/105.74

S/103.59

S/97.87

S/97.78

S/91.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

100 A

16 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

140 nC

- 55 C

+ 150 C

694 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1200 V 28 A TO-247 MAX

APT28M120B2
Microchip Technology
1: S/89.48
639En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT28M120B2

N.º de artículo de Mouser
494-APT28M120B2

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1200 V 28 A TO-247 MAX

Hoja de datos

639En existencias

S/89.48

S/87.33

S/85.27

S/80.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

T-MAX-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

530 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 150 C

1.135 kW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 1000 V 78 Ohm TO-247

APT10078BLLG
Microchip Technology
1: S/94.34
105En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT10078BLLG

N.º de artículo de Mouser
494-APT10078BLLG

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 1000 V 78 Ohm TO-247

Hoja de datos

105En existencias

S/94.34

S/92.06

S/89.91

S/84.71

S/79.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

14 A

780 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

95 nC

- 55 C

+ 150 C

403 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 800 V 56 Ohm TO-247

APT8056BVRG
Microchip Technology
1: S/65.27
142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT8056BVRG

N.º de artículo de Mouser
494-APT8056BVRG

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 800 V 56 Ohm TO-247

Hoja de datos

142En existencias

S/65.27

S/62.65

S/60.33

S/58.87

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

16 A

560 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

370 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1000 V 18 A TO-247

APT18M100B
Microchip Technology
1: S/37.24
44En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT18M100B

N.º de artículo de Mouser
494-APT18M100B

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1000 V 18 A TO-247

Hoja de datos

44En existencias

S/37.24

S/32.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

18 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

Power MOS 8

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 800 V 24 A TO-247

APT24M80B
Microchip Technology
1: S/41.62
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT24M80B

N.º de artículo de Mouser
494-APT24M80B

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 800 V 24 A TO-247

Hoja de datos

50En existencias

S/41.62

S/35.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

25 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET COOLMOS 600 V 38 A TO-247

APT38N60BC6
Microchip Technology
1: S/27.95
80En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT38N60BC6

N.º de artículo de Mouser
494-APT38N60BC6

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET COOLMOS 600 V 38 A TO-247

Hoja de datos

80En existencias

S/27.95

S/24.12

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

112 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 220V 12Ohm

TP2522N8-G
Microchip Technology
1: S/7.96
1,110En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP2522N8-G

N.º de artículo de Mouser
689-TP2522N8-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 220V 12Ohm

Hoja de datos

1,110En existencias

Cinta cortada

S/7.96

S/6.67

S/5.98

Envase tipo carrete

S/5.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

SOT-89-3

P-Channel

1 Channel

220 V

260 mA

12 Ohms

- 20 V, 20 V

2.4 V

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 200 V 20 mOhm TO-247 MAX

APT20M20B2LLG
Microchip Technology
1: S/89.70
23En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT20M20B2LLG

N.º de artículo de Mouser
494-APT20M20B2LLG

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 200 V 20 mOhm TO-247 MAX

Hoja de datos

23En existencias

S/89.70

S/77.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

T-MAX-3

N-Channel

1 Channel

200 V

100 A

20 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

568 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 500 V 18 Ohm TO-247

APT5018BLLG
Microchip Technology
1: S/44.08
42En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT5018BLLG

N.º de artículo de Mouser
494-APT5018BLLG

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 500 V 18 Ohm TO-247

Hoja de datos

42En existencias

S/44.08

S/38.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

27 A

180 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

58 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 15Ohm

TP2640N3-G
Microchip Technology
1: S/8.86
966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP2640N3-G

N.º de artículo de Mouser
689-TP2640N3-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 15Ohm

Hoja de datos

966En existencias

S/8.86

S/7.40

S/6.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-92-3

P-Channel

1 Channel

400 V

180 mA

15 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

TN0610N3-G-P013
Microchip Technology
1: S/5.93
1,735En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TN0610N3-G-P013

N.º de artículo de Mouser
689-TN0610N3-G-P013

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Hoja de datos

1,735En existencias

S/5.93

S/4.95

S/4.52

S/3.70

Envase tipo carrete

S/3.70

S/3.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

100 V

500 mA

15 Ohms

- 20 V, 20 V

600 mV

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Ammo Pack

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Enhancmnt Mode MOSFET

TP2104N3-G-P003
Microchip Technology
1: S/3.83
2,682En existencias
1,993En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TP2104N3-G-P003

N.º de artículo de Mouser
689-TP2104N3-G-P003

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Hoja de datos

2,682En existencias

1,993En pedido

Cinta cortada

S/3.83

S/3.23

S/2.92

S/2.91

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Through Hole

TO-92-3

P-Channel

1 Channel

40 V

250 mA

10 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

- 55 C

+ 150 C

740 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 240V 10Ohm

VN2410L-G
Microchip Technology
1: S/4.99
1,828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VN2410L-G

N.º de artículo de Mouser
689-VN2410L-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 240V 10Ohm

Hoja de datos

1,828En existencias

S/4.99

S/4.26

S/3.83

S/3.82

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

240 V

190 mA

10 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 1200 V 57 Ohm TO-247 MAX

APT12057B2LLG
Microchip Technology
1: S/161.16
35En existencias

N.º de artículo del Fabricante
APT12057B2LLG

N.º de artículo de Mouser
494-APT12057B2LLG

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 1200 V 57 Ohm TO-247 MAX

Hoja de datos

35En existencias

S/161.16

S/152.56

S/151.15

S/130.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

T-MAX-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

22 A

570 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

290 nC

- 55 C

+ 150 C

690 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 220V 12 Ohm 0.7A

TP5322N8-G
Microchip Technology
1: S/3.70
2,575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TP5322N8-G

N.º de artículo de Mouser
689-TP5322N8-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 220V 12 Ohm 0.7A

Hoja de datos

2,575En existencias

Cinta cortada

S/3.70

S/3.10

S/2.75

S/2.37

Envase tipo carrete

S/2.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

SOT-89-3

P-Channel

1 Channel

220 V

260 mA

12 Ohms

- 20 V, 20 V

2.4 V

- 55 C

+ 150 C

1.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL ENHANCE-MODE 90V

VN0109N3-G
Microchip Technology
1: S/3.01
1,961En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VN0109N3-G

N.º de artículo de Mouser
689-VN0109N3-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL ENHANCE-MODE 90V

Hoja de datos

1,961En existencias

S/3.01

S/3.00

S/2.46

S/2.36

S/2.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

90 V

350 mA

5 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

VN2222LL-G-P013
Microchip Technology
1: S/2.75
2,443En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VN2222LL-G-P013

N.º de artículo de Mouser
689-VN2222LLG-P013

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Hoja de datos

2,443En existencias

S/2.75

S/1.95

S/1.84

S/1.83

Ver

Envase tipo carrete

S/1.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

60 V

230 mA

7.5 Ohms

- 30 V, 30 V

600 mV

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Ammo Pack

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3Ohm

TN0106N3-G
Microchip Technology
1: S/3.83
1,828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TN0106N3-G

N.º de artículo de Mouser
689-TN0106N3-G

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3Ohm

Hoja de datos

1,828En existencias

S/3.83

S/3.78

S/3.54

S/3.44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

60 V

350 mA

3 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

VN0106N3-G-P003
Microchip Technology
1: S/3.96
2,745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VN0106N3-G-P003

N.º de artículo de Mouser
689-VN0106N3-G-P003

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Hoja de datos

2,745En existencias

Cinta cortada

S/3.96

S/3.31

S/3.05

S/3.03

Envase tipo carrete

S/2.50

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

60 V

350 mA

5 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

VN10KN3-G-P002
Microchip Technology
1: S/3.10
3,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
VN10KN3-G-P002

N.º de artículo de Mouser
689-VN10KN3-G-P002

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Hoja de datos

3,148En existencias

Cinta cortada

S/3.10

S/2.54

S/2.32

S/1.96

Envase tipo carrete

S/1.96

S/1.95

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

60 V

310 mA

7.5 Ohms

- 30 V, 30 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92

DN2540N3-G-P003
Microchip Technology
1: S/4.39
1,771En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DN2540N3-G-P003

N.º de artículo de Mouser
689-DN2540N3-G-P003

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92

Hoja de datos

1,771En existencias

Cinta cortada

S/4.39

S/3.70

S/3.35

Envase tipo carrete

S/3.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

400 V

120 mA

25 Ohms

- 20 V, 20 V

3.5 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Depletion

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Enhancmnt Mode MOSFET

TP0606N3-G-P002
Microchip Technology
1: S/5.25
1,975En existencias
1,985En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TP0606N3-G-P002

N.º de artículo de Mouser
689-TP0606N3-G-P002

Microchip Technology

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Hoja de datos

1,975En existencias

1,985En pedido

Cinta cortada

S/5.25

S/4.34

S/3.91

S/3.39

Envase tipo carrete

S/3.39

S/3.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Through Hole

TO-92-3

P-Channel

1 Channel

60 V

320 mA

7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.4 V

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Microchip Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D3PAK-3
DFN-12
DFN-8
DPAK-3 (TO-252-3)
FlatPack-14
LCC-20
QFN-56
SC-70-6
SMD-0.5-3
SMD-2-3
SMD-3
SOIC-8
SOT-143-4
SOT-23-3
SOT-23-5
SOT-89-3
T-MAX-3
TO-116-14
TO-204AA-2
TO-220-3

6 V
9 V
10 V
16.5 V
18 V
20 V
30 V
40 V
50 V
60 V
80 V
90 V
100 V
120 V
150 V
200 V
220 V
240 V
250 V
300 V

13 mA
30 mA
50 mA
54 mA
72 mA
85 mA
86 mA
100 mA
110 mA
115 mA
120 mA
125 mA
134 mA
135 mA
136 mA
150 mA
160 mA
170 mA
175 mA
180 mA

9 mOhms
11 mOhms
16 mOhms
18 mOhms
19 mOhms
20 mOhms
22 mOhms
25 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
37 mOhms
38 mOhms
42 mOhms
45 mOhms
50 mOhms
55 mOhms
60 mOhms
61 mOhms
65 mOhms

300 mV
500 mV
600 mV
800 mV
1 V
1 V, 2.4 V
1.2 V
1.5 V
1.6 V
2 V
2 V, 2.4 V
2.1 V
2.4 V
2.5 V
2.7 V
3 V
3.5 V
4 V
4 V, 4.5 V
4.48 V

7.04 nC
27 nC
29 nC
30 nC
31 nC
32 nC
34 nC
43 nC
50 nC
57 nC
58 nC
60 nC
64 nC
65 nC
72 nC
75 nC
80 nC
85 nC
88 nC
90 nC

1.135 mW
270 mW
360 mW
490 mW
568 mW
740 mW
1 W
1.3 W
1.5 W
1.6 W
2.5 W
6 W
6.25 W
15 W
75 W
135 W
139 W
175 W
208 W
219 W