.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

IXYS X2-Class Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 17

Filtros aplicados:

Fabricante = IXYS Serie = X2-Class

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS

IXTK102N65X2
IXYS
1: S/58.09
239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTK102N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK102N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS

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239En existencias

S/58.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

650 V

102 A

30 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTP8N65X2
IXYS
1: S/13.80
28En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP8N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

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28En existencias

S/13.80

S/6.88

S/5.20

S/5.16

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 4A N-CH X2CLASS

IXTA4N65X2
IXYS
1: S/16.34
101En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA4N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA4N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 4A N-CH X2CLASS

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101En existencias

S/16.34

S/9.72

S/8.30

S/5.98

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTA8N65X2
IXYS
1: S/18.45
232En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA8N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 8A N-CH X2CLASS

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232En existencias

S/18.45

S/9.46

S/9.29

S/7.05

S/6.36

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 2A N-CH X2CLASS

IXTP2N65X2
IXYS
1: S/15.27
220En existencias

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IXTP2N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP2N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 2A N-CH X2CLASS

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220En existencias

S/15.27

S/7.74

S/7.70

S/5.68

S/4.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

2 A

2.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

55 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH X2CLASS

IXTP4N65X2
IXYS
1: S/15.27
280En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP4N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP4N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH X2CLASS

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280En existencias

S/15.27

S/7.74

S/6.97

S/5.68

S/4.95

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTP8N65X2M
IXYS
1: S/17.42
87En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP8N65X2M

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP8N65X2M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 8A N-CH X2CLASS

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87En existencias

S/17.42

S/8.90

S/7.65

S/6.58

S/5.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 4A N-CH X2CLASS

IXTY4N65X2
IXYS
1: S/15.09
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY4N65X2

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747-IXTY4N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 4A N-CH X2CLASS

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238En existencias

S/15.09

S/8.69

S/7.53

S/5.93

S/5.46

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

8.3 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS

IXTY8N65X2
IXYS
1: S/17.07
29En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY8N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY8N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS

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29En existencias

S/17.07

S/8.30

S/7.48

S/6.36

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTY8N70X2
IXYS
1: S/18.45
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY8N70X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY8N70X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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60En existencias

S/18.45

S/9.03

S/8.17

S/6.97

S/6.36

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 2A N-CH X2CLASS

IXTY2N65X2
IXYS
1: S/12.30

N.º de artículo del Fabricante
IXTY2N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY2N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 2A N-CH X2CLASS

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S/12.30

S/7.10

S/5.25

S/4.56

S/4.21

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

650 V

2 A

2.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4.3 nC

- 55 C

+ 150 C

55 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTA8N70X2
IXYS
1: S/19.78
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTA8N70X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA8N70X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

S/19.78

S/10.23

S/9.25

S/8.04

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTP8N70X2
IXYS
1: S/22.23
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTP8N70X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP8N70X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

S/22.23

S/11.61

S/10.79

S/9.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/4A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTP8N70X2M
IXYS
1: S/18.71
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTP8N70X2M

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP8N70X2M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/4A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

S/18.71

S/9.68

S/8.77

S/7.78

S/7.48

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

IXTU8N70X2
IXYS
350: S/10.36
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTU8N70X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTU8N70X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

S/10.36

S/9.12

Min.: 350
Mult.: 70

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS

IXTX102N65X2
IXYS
300: S/57.75
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTX102N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX102N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

S/57.75

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

102 A

30 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

152 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTY4N65X2 TRL

IXTY4N65X2-TRL
IXYS
2,500: S/5.46
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTY4N65X2-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY4N65X2-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTY4N65X2 TRL

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Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.46

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

650 V

4 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

- 55 C

+ 150 C

80 W

Reel

IXYS X2-Class Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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