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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Marca = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss

STD8N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.76
1,872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD8N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss

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1,872En existencias

Cinta cortada

S/13.76

S/8.94

S/6.36

S/5.42

S/4.99

Envase tipo carrete

S/4.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

560 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh

STF21N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.61
939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF21N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF21N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh

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939En existencias

S/23.61

S/12.69

S/11.57

S/10.75

S/9.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7N105K5
STMicroelectronics
1: S/16.30
1,469En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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1,469En existencias

S/16.30

S/7.10

S/6.71

S/6.24

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A

STF8NK100Z
STMicroelectronics
1: S/23.91
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF8NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STF8NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A

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1,500En existencias

S/23.91

S/12.90

S/11.78

S/10.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

6.5 A

1.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

102 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

STFU13N80K5
STMicroelectronics
1: S/18.92
1,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU13N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFU13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

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S/18.92

S/12.43

S/9.25

S/7.65

S/7.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

370 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in

STH410N4F7-2AG
STMicroelectronics
1: S/29.71
773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH410N4F7-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH410N4F7-2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in

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773En existencias

Cinta cortada

S/29.71

S/20.04

S/14.88

S/14.84

Envase tipo carrete

S/13.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

365 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

STL125N8F7AG
STMicroelectronics
1: S/13.46
2,955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL125N8F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL125N8F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 3.6 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a P

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Cinta cortada

S/13.46

S/8.77

S/6.11

S/5.16

S/4.77

Envase tipo carrete

S/4.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII

STL30N10F7
STMicroelectronics
1: S/7.22
5,736En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STL30N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL30N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII

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5,736En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/7.22

S/4.52

S/2.99

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.46

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

8 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

4.8 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH

STL7LN80K5
STMicroelectronics
1: S/11.83
2,885En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL7LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH

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2,885En existencias

Cinta cortada

S/11.83

S/7.65

S/5.25

S/4.28

S/4.22

Envase tipo carrete

S/3.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.15 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL8P4LLF6
STMicroelectronics
1: S/4.43
4,059En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL8P4LLF6

N.º de artículo de Mouser
511-STL8P4LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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4,059En existencias

Cinta cortada

S/4.43

S/3.10

S/2.35

S/2.05

S/1.96

Envase tipo carrete

S/1.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

P-Channel

1 Channel

40 V

8 A

20.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

2.9 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII

STP110N10F7
STMicroelectronics
1: S/14.02
1,859En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP110N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP110N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII

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1,859En existencias

S/14.02

S/5.16

S/5.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

STP130N6F7
STMicroelectronics
1: S/10.23
1,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP130N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP130N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package

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1,896En existencias

S/10.23

S/4.52

S/4.17

S/3.59

S/3.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

160 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

STP14NM50N
STMicroelectronics
1: S/17.72
737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STP14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

Hoja de datos

737En existencias

S/17.72

S/9.37

S/8.86

S/8.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

280 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

STP15NK50Z
STMicroelectronics
1: S/16.81
1,536En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP15NK50Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP15NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,536En existencias

S/16.81

S/8.60

S/7.78

S/6.45

S/6.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

340 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 400V -.23 Zener SuperMESH 15A

STP17NK40ZFP
STMicroelectronics
1: S/21.84
1,897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP17NK40ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP17NK40ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 400V -.23 Zener SuperMESH 15A

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1,897En existencias

S/21.84

S/11.35

S/10.36

S/9.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

15 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

STP18N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.13
1,731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

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1,731En existencias

S/12.13

S/5.85

S/5.42

S/4.52

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

255 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

STP34N65M5
STMicroelectronics
1: S/22.06
1,225En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP34N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP34N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

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Hoja de datos

1,225En existencias

S/22.06

S/13.85

S/13.20

S/12.69

S/12.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18.3 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

62.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP50N65DM6
STMicroelectronics
1: S/33.76
763En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP50N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STP50N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

Hoja de datos

763En existencias

S/33.76

S/23.82

S/19.87

S/17.72

S/16.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

91 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

52.5 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH

STW12NK90Z
STMicroelectronics
1: S/29.63
955En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW12NK90Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW12NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

955En existencias

S/29.63

S/17.03

S/13.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

11 A

880 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

113 nC

- 55 C

+ 150 C

230 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STW15N95K5
STMicroelectronics
1: S/20.94
1,424En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW15N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

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Hoja de datos

1,424En existencias

S/20.94

S/11.09

S/8.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

12 A

410 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STW20NM50FD
STMicroelectronics
1: S/25.50
489En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM50FD

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM50FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

489En existencias

S/25.50

S/19.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

53 nC

- 65 C

+ 150 C

214 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STW20NM60
STMicroelectronics
1: S/29.54
850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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Hoja de datos

850En existencias

S/29.54

S/15.09

S/13.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

STW36N60M6
STMicroelectronics
1: S/30.10
2,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW36N60M6

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511-STW36N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package

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S/30.10

S/17.29

S/14.15

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

85 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STW65N65DM2AG
STMicroelectronics
1: S/44.89
498En existencias

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STW65N65DM2AG

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511-STW65N65DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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S/44.89

S/26.96

S/24.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

50 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

STW7NK90Z
STMicroelectronics
1: S/15.74
943En existencias

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STW7NK90Z

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511-STW7NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

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943En existencias

S/15.74

S/10.71

S/8.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

5.8 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

46.5 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W