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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

STL059N4S8AG
STMicroelectronics
1: S/15.39
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STL059N4S8AG

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511-STL059N4S8AG

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N065DM9
STMicroelectronics
1: S/24.77
208En existencias
Nuevo producto

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ST8L65N065DM9

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511-ST8L65N065DM9

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N050DM9
STMicroelectronics
1: S/27.13
208En existencias
Nuevo producto

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ST8L65N050DM9

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511-ST8L65N050DM9

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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S/19.22

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

STWA60N035M9
STMicroelectronics
1: S/35.35
288En existencias
Nuevo producto

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STWA60N035M9

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511-STWA60N035M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

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S/35.35

S/25.71

Min.: 1
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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

STWA60N028T
STMicroelectronics
1: S/25.24
314En existencias
Nuevo producto

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STWA60N028T

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511-STWA60N028T

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET

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S/20.21

S/16.34

S/14.49

S/12.86

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

STN3NF06L
STMicroelectronics
1: S/6.84
46,911En existencias

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STN3NF06L

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511-STN3NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

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Min.: 1
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MOSFETs

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET

STL165N10F8AG
STMicroelectronics
1: S/17.42
1,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL165N10F8AG

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511-STL165N10F8AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET

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S/10.66

S/9.37

S/8.69

S/8.26

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S/5.59

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate

STL60N10F7
STMicroelectronics
1: S/8.04
27,481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL60N10F7

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511-STL60N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate

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S/3.45

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S/2.33

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STP60N043DM9
STMicroelectronics
1: S/46.01
931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP60N043DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STP60N043DM9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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931En existencias

S/46.01

S/25.89

S/24.94

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT

STGYA50M120DF3
STMicroelectronics
1: S/25.03
1,142En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGYA50M120DF3

N.º de artículo de Mouser
511-STGYA50M120DF3

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT

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1,142En existencias

S/25.03

S/18.23

S/17.93

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

Max247-3

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD54008-E
STMicroelectronics
1: S/65.62
1,546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

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1,546En existencias

S/65.62

S/46.44

S/43.13

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

N-Channel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060-E
STMicroelectronics
1: S/247.34
870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57060-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

870En existencias

S/247.34

S/202.96

S/200.68

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

N-Channel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD54008L-E
STMicroelectronics
1: S/36.03
3,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

3,796En existencias

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S/36.03

S/25.93

S/22.66

S/22.32

Envase tipo carrete

S/22.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

N-Channel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55003-E
STMicroelectronics
1: S/47.86
6,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

6,597En existencias

S/47.86

S/33.33

S/30.66

S/30.62

S/30.49

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STP45N65M5
STMicroelectronics
1: S/36.68
3,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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3,923En existencias

S/36.68

S/20.08

S/18.45

S/18.15

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor

BU508AF
STMicroelectronics
1: S/16.08
12,621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BU508AF

N.º de artículo de Mouser
511-BU508AF

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor

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12,621En existencias

S/16.08

S/7.61

S/6.02

S/5.55

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Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors

Through Hole

ISOWATT-218FX-3

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor

STD888T4
STMicroelectronics
1: S/3.48
71,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD888T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD888T4

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor

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71,744En existencias

Cinta cortada

S/3.48

S/2.37

S/1.61

S/1.24

Envase tipo carrete

S/0.985

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

PNP

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p

STL130N6F7
STMicroelectronics
1: S/12.04
20,733En existencias
21,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STL130N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL130N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p

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20,733En existencias

21,000En pedido

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S/12.04

S/7.78

S/5.38

S/4.39

S/4.08

Envase tipo carrete

S/4.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STP45N40DM2AG
STMicroelectronics
1: S/32.68
4,720En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP45N40DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N40DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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4,720En existencias

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S/32.68

S/17.80

S/16.34

S/15.91

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

STD80N340K6
STMicroelectronics
1: S/18.53
2,525En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD80N340K6

N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET

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2,525En existencias

Cinta cortada

S/18.53

S/12.21

S/8.64

S/7.91

S/7.40

Envase tipo carrete

S/7.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET

STL320N4LF8
STMicroelectronics
1: S/12.81
4,583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL320N4LF8

N.º de artículo de Mouser
511-STL320N4LF8

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET

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4,583En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/8.08

S/6.02

S/5.12

S/4.47

Envase tipo carrete

S/4.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET

STD47N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/10.45
18,972En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD47N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD47N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET

Hoja de datos

18,972En existencias

Cinta cortada

S/10.45

S/6.75

S/4.60

S/3.67

Envase tipo carrete

S/3.56

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55008-E
STMicroelectronics
1: S/73.83
1,494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

1,494En existencias

S/73.83

S/49.41

S/49.06

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II

STD18NF25
STMicroelectronics
1: S/12.00
18,017En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD18NF25

N.º de artículo de Mouser
511-STD18NF25

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II

Hoja de datos

18,017En existencias

Cinta cortada

S/12.00

S/7.78

S/5.38

S/4.39

S/4.09

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

STL36DN6F7
STMicroelectronics
1: S/6.11
42,174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL36DN6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

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42,174En existencias

Cinta cortada

S/6.11

S/3.86

S/2.56

S/2.00

S/1.82

Envase tipo carrete

S/1.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)