.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 1,318

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Marca = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected

STL7N80K5
STMicroelectronics
1: S/9.07
5,539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected

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Hoja de datos

5,539En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/6.58

S/4.99

S/4.43

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

800 V

3.6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13.4 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A

STP10NK70ZFP
STMicroelectronics
1: S/22.10
1,584En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK70ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK70ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A

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Hoja de datos

1,584En existencias

S/22.10

S/11.52

S/10.49

S/9.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.6 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3.75 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

STP12NM50FP
STMicroelectronics
1: S/15.01
1,305En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP12NM50FP

N.º de artículo de Mouser
511-STP12NM50FP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 12 Amp

Hoja de datos

1,305En existencias

S/15.01

S/10.19

S/9.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

39 nC

- 65 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V

STP20N65M5
STMicroelectronics
1: S/17.03
969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V

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Hoja de datos

969En existencias

S/17.03

S/8.77

S/7.96

S/6.49

S/6.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH

STP3NK80Z
STMicroelectronics
1: S/9.93
1,900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP3NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP3NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,900En existencias

S/9.93

S/5.33

S/4.82

S/3.84

S/3.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

4.5 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STP60N043DM9
STMicroelectronics
1: S/46.01
931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP60N043DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STP60N043DM9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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Hoja de datos

931En existencias

S/46.01

S/25.89

S/24.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

56 A

43 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78.6 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

STW14NK50Z
STMicroelectronics
1: S/15.18
847En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW14NK50Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW14NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

847En existencias

S/15.18

S/10.28

S/8.99

S/8.64

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge

STW21N150K5
STMicroelectronics
1: S/57.49
811En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW21N150K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW21N150K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 packge

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Hoja de datos

811En existencias

S/57.49

S/34.83

S/31.09

S/30.92

S/28.90

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

14 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW58N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/45.06
397En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW58N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW58N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

397En existencias

S/45.06

S/27.39

S/24.42

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

60 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

STW69N65M5
STMicroelectronics
1: S/50.78
692En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW69N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW69N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

692En existencias

S/50.78

S/35.69

S/34.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

45 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

143 nC

- 55 C

+ 150 C

330 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

STB14NK50ZT4
STMicroelectronics
1: S/14.10
5,985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB14NK50ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB14NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

5,985En existencias

Cinta cortada

S/14.10

S/10.66

S/9.59

Envase tipo carrete

S/9.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

92 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STB20NM50T4
STMicroelectronics
1: S/26.45
957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM50T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

957En existencias

Cinta cortada

S/26.45

S/17.76

S/12.81

Envase tipo carrete

S/11.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V

STB26NM60N
STMicroelectronics
1: S/33.80
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V

Obtenga más información

Hoja de datos

913En existencias

Cinta cortada

S/33.80

S/23.01

S/17.67

Envase tipo carrete

S/16.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB28N65M2
STMicroelectronics
1: S/18.58
1,962En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,962En existencias

Cinta cortada

S/18.58

S/12.26

S/8.64

S/7.91

Envase tipo carrete

S/7.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

150 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STB30N65M5
STMicroelectronics
1: S/29.97
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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Hoja de datos

1,000En existencias

Cinta cortada

S/29.97

S/20.21

S/15.05

S/15.01

Envase tipo carrete

S/14.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

22 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STB45N60DM2AG
STMicroelectronics
1: S/31.99
939En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N60DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N60DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

939En existencias

Cinta cortada

S/31.99

S/22.06

S/16.77

S/16.73

Envase tipo carrete

S/15.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

34 A

93 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH

STB6NK90ZT4
STMicroelectronics
1: S/16.43
2,063En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB6NK90ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB6NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

2,063En existencias

Cinta cortada

S/16.43

S/11.18

S/8.08

S/7.40

Envase tipo carrete

S/7.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

5.8 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

46.5 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N60DM6
STMicroelectronics
1: S/11.40
2,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

2,369En existencias

Cinta cortada

S/11.40

S/7.65

S/5.46

S/4.47

S/4.22

Envase tipo carrete

S/3.96

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

390 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD16N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.21
2,534En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STD16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

2,534En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/12.21

S/7.91

S/5.46

S/4.47

Envase tipo carrete

S/4.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

320 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A

STD1NK60-1
STMicroelectronics
1: S/6.97
3,918En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD1NK60-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD1NK60-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A

Obtenga más información

Hoja de datos

3,918En existencias

S/6.97

S/2.52

S/2.33

S/2.13

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

1 A

8 Ohms

- 30 V, 30 V

2.25 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET

STD2LN60K3
STMicroelectronics
1: S/5.98
9,518En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2LN60K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD2LN60K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET

Obtenga más información

Hoja de datos

9,518En existencias

Cinta cortada

S/5.98

S/3.61

S/2.50

S/1.96

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3

STD2N62K3
STMicroelectronics
1: S/8.99
2,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD2N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,969En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.76

S/3.90

S/3.10

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

2.2 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD5N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.35
6,550En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STD5N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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6,550En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/7.35

S/4.69

S/3.11

S/2.46

S/2.24

Envase tipo carrete

S/2.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.5 A

1.4 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II

STD7ANM60N
STMicroelectronics
1: S/9.46
3,478En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STD7ANM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STD7ANM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II

Hoja de datos

3,478En existencias

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Cinta cortada

S/9.46

S/6.06

S/4.11

S/3.28

S/3.15

Envase tipo carrete

S/2.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

900 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

AEC-Q100

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET

STD85N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/10.75
3,366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD85N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD85N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET

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Hoja de datos

3,366En existencias

Cinta cortada

S/10.75

S/6.92

S/4.73

S/3.79

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W