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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,318

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Marca = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A

STS1DNC45
STMicroelectronics
1: S/9.37
3,986En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS1DNC45

N.º de artículo de Mouser
511-STS1DNC45

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A

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Hoja de datos

3,986En existencias

Cinta cortada

S/9.37

S/6.67

S/4.60

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

450 V

400 mA

4.1 Ohms

- 30 V, 30 V

2.3 V

10 nC

- 65 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

STW28NM50N
STMicroelectronics
1: S/33.37
687En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW28NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STW28NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

687En existencias

S/33.37

S/20.30

S/19.31

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

21 A

158 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW40N90K5
STMicroelectronics
1: S/60.16
421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW40N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW40N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

421En existencias

S/60.16

S/43.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

40 A

88 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

446 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

STW42N65M5
STMicroelectronics
1: S/43.60
529En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp

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Hoja de datos

529En existencias

S/43.60

S/27.05

S/23.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

33 A

70 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

98 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW6N90K5
STMicroelectronics
1: S/14.71
1,618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW6N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW6N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

1,618En existencias

S/14.71

S/8.21

S/5.59

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

6 A

910 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A

STB15N80K5
STMicroelectronics
1: S/24.85
686En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A

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Hoja de datos

686En existencias

Cinta cortada

S/24.85

S/16.64

S/12.00

S/11.74

Envase tipo carrete

S/10.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

14 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STB45N40DM2AG
STMicroelectronics
1: S/33.37
1,230En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N40DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N40DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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Hoja de datos

1,230En existencias

Cinta cortada

S/33.37

S/22.83

S/17.50

S/17.46

Envase tipo carrete

S/16.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

38 A

72 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

STB6NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/10.49
1,277En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STB6NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB6NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,277En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/10.49

S/7.65

S/5.72

S/5.20

Envase tipo carrete

S/5.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp

STD15NF10T4
STMicroelectronics
1: S/5.07
9,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD15NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD15NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp

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Hoja de datos

9,148En existencias

Cinta cortada

S/5.07

S/3.60

S/2.68

S/2.24

S/2.09

Envase tipo carrete

S/2.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

23 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

STD2N95K5
STMicroelectronics
1: S/8.39
2,421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD2N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

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Hoja de datos

2,421En existencias

Cinta cortada

S/8.39

S/5.20

S/3.66

S/2.90

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

4.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH

STD2NK90ZT4
STMicroelectronics
1: S/10.06
6,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2NK90ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD2NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

6,116En existencias

Cinta cortada

S/10.06

S/7.10

S/4.95

S/3.98

S/3.78

Envase tipo carrete

S/3.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

2.1 A

6.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A

STD2NK90Z-1
STMicroelectronics
1: S/9.68
2,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2NK90Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD2NK90Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A

Obtenga más información

Hoja de datos

2,947En existencias

S/9.68

S/5.33

S/4.82

S/4.05

S/3.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

900 V

2.1 A

6.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in

STD4NK100Z
STMicroelectronics
1: S/13.59
7,376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in

Obtenga más información

Hoja de datos

7,376En existencias

Cinta cortada

S/13.59

S/8.86

S/6.15

S/5.20

Envase tipo carrete

S/4.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

2.2 A

6.8 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

AEC-Q100

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

STD5NM60T4
STMicroelectronics
1: S/8.64
1,953En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,953En existencias

Cinta cortada

S/8.64

S/6.45

S/5.16

S/4.64

Envase tipo carrete

S/4.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A

STD9NM50N
STMicroelectronics
1: S/8.08
7,194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD9NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A

Hoja de datos

7,194En existencias

Cinta cortada

S/8.08

S/5.16

S/3.47

S/2.74

S/2.54

Envase tipo carrete

S/2.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.5 A

560 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5

STF20N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.66
5,798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF20N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5

Obtenga más información

Hoja de datos

5,798En existencias

S/14.66

S/6.58

S/6.19

S/5.63

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

18 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

STH240N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/20.08
3,675En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH240N10F7-6

N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac

Obtenga más información

Hoja de datos

3,675En existencias

Cinta cortada

S/20.08

S/13.29

S/9.46

S/8.82

Envase tipo carrete

S/8.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P

STL105N4LF7AG
STMicroelectronics
1: S/8.90
5,654En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL105N4LF7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL105N4LF7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P

Hoja de datos

5,654En existencias

Cinta cortada

S/8.90

S/3.88

S/3.05

S/2.69

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

40 V

105 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

23.3 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

STL115N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/13.76
3,656En existencias
2,862En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STL115N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STL115N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

3,656En existencias

2,862En pedido

Cinta cortada

S/13.76

S/8.99

S/6.24

S/5.33

S/5.07

Envase tipo carrete

S/4.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8

N-Channel

1 Channel

100 V

107 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

72.5 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5

STL11N65M5
STMicroelectronics
1: S/12.43
2,059En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL11N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL11N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5

Obtenga más información

Hoja de datos

2,059En existencias

Cinta cortada

S/12.43

S/8.04

S/5.55

S/4.60

S/4.39

Envase tipo carrete

S/4.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x5-12

N-Channel

1 Channel

650 V

8.5 A

530 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

STL120N8F7
STMicroelectronics
1: S/12.94
7,211En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL120N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL120N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x

Hoja de datos

7,211En existencias

Cinta cortada

S/12.94

S/8.39

S/5.85

S/4.90

S/4.77

Envase tipo carrete

S/4.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII

STL130N8F7
STMicroelectronics
1: S/11.87
7,064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL130N8F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL130N8F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII

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7,064En existencias

Cinta cortada

S/11.87

S/8.90

S/6.79

S/5.89

S/5.50

Envase tipo carrete

S/5.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

STL16N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.99
3,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL16N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL16N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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3,116En existencias

Cinta cortada

S/12.99

S/8.43

S/5.85

S/4.90

S/4.86

Envase tipo carrete

S/4.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

355 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/17.63
7,582En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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7,582En existencias

Cinta cortada

S/17.63

S/11.61

S/8.26

S/6.84

Envase tipo carrete

S/6.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

195 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STP11NM80
STMicroelectronics
1: S/23.95
1,957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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1,957En existencias

S/23.95

S/14.66

S/13.85

S/13.80

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11 A

400 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43.6 nC

- 65 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W