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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Marca = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB24N60M6
STMicroelectronics
1: S/15.14
1,580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STB24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

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1,580En existencias

Cinta cortada

S/15.14

S/9.93

S/6.92

S/6.02

Envase tipo carrete

S/5.98

S/5.59

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

STB33N65M2
STMicroelectronics
1: S/21.72
4,481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package

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4,481En existencias

Cinta cortada

S/21.72

S/14.45

S/10.32

S/9.80

Envase tipo carrete

S/9.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

140 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

41.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STB45N65M5
STMicroelectronics
1: S/36.51
1,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

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1,755En existencias

Cinta cortada

S/36.51

S/25.11

S/19.74

Envase tipo carrete

S/18.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

78 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB8N90K5
STMicroelectronics
1: S/17.59
1,163En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB8N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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1,163En existencias

Cinta cortada

S/17.59

S/11.57

S/8.17

S/7.35

Envase tipo carrete

S/6.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

600 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus

STD13NM60ND
STMicroelectronics
1: S/21.76
4,060En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD13NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STD13NM60ND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus

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Hoja de datos

4,060En existencias

Cinta cortada

S/21.76

S/9.98

S/9.42

Envase tipo carrete

S/9.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

380 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

109 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

STD3N62K3
STMicroelectronics
1: S/6.67
7,920En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

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7,920En existencias

Cinta cortada

S/6.67

S/3.10

S/2.34

S/2.02

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

2.7 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F

STD5N52U
STMicroelectronics
1: S/7.31
3,202En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STD5N52U

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N52U

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F

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Hoja de datos

3,202En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/7.31

S/4.64

S/3.10

S/2.44

S/2.23

Envase tipo carrete

S/2.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

4.4 A

1.28 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

16.9 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

UltraFASTmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH

STD5NK40ZT4
STMicroelectronics
1: S/8.56
3,605En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NK40ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NK40Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

3,605En existencias

Cinta cortada

S/8.56

S/5.46

S/3.68

S/2.92

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

400 V

3 A

1.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a

STD5NM50AG
STMicroelectronics
1: S/10.79
5,579En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM50AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM50AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a

Hoja de datos

5,579En existencias

Cinta cortada

S/10.79

S/6.97

S/4.77

S/3.81

S/3.78

Envase tipo carrete

S/3.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7.5 A

800 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD7LN80K5
STMicroelectronics
1: S/11.57
2,662En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STD7LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD7LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

2,662En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/11.57

S/7.48

S/5.16

S/4.15

Envase tipo carrete

S/3.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

1.15 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

STD7N52K3
STMicroelectronics
1: S/9.76
4,840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

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Hoja de datos

4,840En existencias

Cinta cortada

S/9.76

S/6.19

S/4.12

S/3.38

S/2.99

Envase tipo carrete

S/2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

6 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A

STD95N4F3
STMicroelectronics
1: S/9.68
3,063En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD95N4F3

N.º de artículo de Mouser
511-STD95N4F3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A

Hoja de datos

3,063En existencias

Cinta cortada

S/9.68

S/6.24

S/4.22

S/3.37

S/3.17

Envase tipo carrete

S/3.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STF20N95K5
STMicroelectronics
1: S/28.04
1,638En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

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Hoja de datos

1,638En existencias

Más información disponible

S/28.04

S/14.92

S/13.63

S/12.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STF21N90K5
STMicroelectronics
1: S/32.38
1,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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Hoja de datos

1,723En existencias

S/32.38

S/16.73

S/16.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

18.5 A

299 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

STF25N80K5
STMicroelectronics
1: S/26.57
1,014En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF25N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

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Hoja de datos

1,014En existencias

S/26.57

S/14.28

S/13.07

S/12.94

S/11.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

19.5 A

260 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

STF26NM60N
STMicroelectronics
1: S/26.49
1,993En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh

Hoja de datos

1,993En existencias

S/26.49

S/17.76

S/15.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH

STF3NK100Z
STMicroelectronics
1: S/20.08
1,813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STF3NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,813En existencias

S/20.08

S/10.75

S/9.80

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

2.5 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

STF40N60M2
STMicroelectronics
1: S/25.67
1,522En existencias
1,952En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STF40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET

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Hoja de datos

1,522En existencias

1,952En pedido

S/25.67

S/13.59

S/12.38

S/11.40

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

88 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p

STH200N10WF7-2
STMicroelectronics
1: S/21.59
649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH200N10WF7-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH200N10WF7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p

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Hoja de datos

649En existencias

Cinta cortada

S/21.59

S/15.48

S/11.70

S/11.52

Envase tipo carrete

S/10.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

340 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

STL18N65M2
STMicroelectronics
1: S/14.02
3,751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H

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Hoja de datos

3,751En existencias

Cinta cortada

S/14.02

S/9.12

S/6.41

S/5.46

S/4.86

Envase tipo carrete

S/4.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

290 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

STL24N60M2
STMicroelectronics
1: S/16.38

N.º de artículo del Fabricante
STL24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

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Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

S/16.38

S/10.75

S/7.53

S/6.71

S/6.32

Envase tipo carrete

S/6.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

186 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

STP10NK60Z
STMicroelectronics
1: S/16.17
3,110En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK60Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

3,110En existencias

S/16.17

S/9.07

S/8.43

S/7.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

STP10NK80Z
STMicroelectronics
1: S/21.50
2,157En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

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2,157En existencias

S/21.50

S/9.85

S/9.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

STP150N10F7
STMicroelectronics
1: S/12.13
3,089En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP150N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP150N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A

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3,089En existencias

S/12.13

S/7.10

S/6.75

S/5.89

S/5.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

117 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FP
STMicroelectronics
1: S/24.73
1,293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FP

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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1,293En existencias

S/24.73

S/16.81

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W