.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 1,318

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Marca = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH Zener SuperMESH

STP4NK60ZFP
STMicroelectronics
1: S/10.41
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4NK60ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP4NK60ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,075En existencias

S/10.41

S/4.82

S/4.43

S/3.78

S/3.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

STP4NK80ZFP
STMicroelectronics
1: S/13.07
1,355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4NK80ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP4NK80ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

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Hoja de datos

1,355En existencias

S/13.07

S/5.03

S/4.77

S/4.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

22.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-1.22ohms Zener SuperMESH 4.4

STP5NK50ZFP
STMicroelectronics
1: S/11.57
831En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP5NK50ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP5NK50ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-1.22ohms Zener SuperMESH 4.4

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Hoja de datos

831En existencias

S/11.57

S/5.72

S/5.16

S/4.13

S/3.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

4.4 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

STW15N80K5
STMicroelectronics
1: S/21.50
415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW15N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

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Hoja de datos

415En existencias

S/21.50

S/12.51

S/10.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

14 A

300 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

STW33N60M2
STMicroelectronics
1: S/23.74
394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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Hoja de datos

394En existencias

S/23.74

S/13.98

S/10.88

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

108 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

45.5 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

STW5NK100Z
STMicroelectronics
1: S/22.75
547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW5NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW5NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5 A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

547En existencias

Más información disponible

S/22.75

S/12.77

S/9.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

3.5 A

2.7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

STB14NM50N
STMicroelectronics
1: S/21.03
589En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB14NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB14NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II

Hoja de datos

589En existencias

Cinta cortada

S/21.03

S/13.98

S/9.93

S/9.37

Envase tipo carrete

S/8.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

12 A

900 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH

STB4NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/11.22
1,535En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB4NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB4NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,535En existencias

Cinta cortada

S/11.22

S/5.16

S/4.05

S/3.74

Envase tipo carrete

S/3.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

MOSFETs N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF12N65M2
STMicroelectronics
Disponibilidad restringida

N.º de artículo del Fabricante
STF12N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M2

STMicroelectronics

MOSFETs N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

Disponibilidad restringida

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

500 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3

STF13N95K3
STMicroelectronics
1: S/31.26
966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF13N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3

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Hoja de datos

966En existencias

S/31.26

S/15.95

S/15.18

S/14.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

10 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU18N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.50
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

Hoja de datos

978En existencias

S/13.50

S/6.75

S/6.11

S/4.95

S/4.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

330 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL16N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.03
1,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Obtenga más información

Hoja de datos

1,440En existencias

Cinta cortada

S/13.03

S/8.47

S/5.85

S/4.90

S/4.86

Envase tipo carrete

S/4.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-HV-8

N-Channel

1 Channel

650 V

7.5 A

395 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

56 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

MOSFETs N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

STL52N60DM6
STMicroelectronics
Disponibilidad restringida

N.º de artículo del Fabricante
STL52N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STL52N60DM6

STMicroelectronics

MOSFETs N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

Obtenga más información

Hoja de datos

Disponibilidad restringida

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

600 V

45 A

84 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STP10N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.88
1,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

Obtenga más información

Hoja de datos

1,774En existencias

S/6.88

S/3.98

S/3.75

S/2.65

S/2.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7.5 A

560 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Tube

MOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP24N60M6
STMicroelectronics
Disponibilidad restringida

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M6

STMicroelectronics

MOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

Disponibilidad restringida

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

STS10P4LLF6
STMicroelectronics
1: S/7.05
2,640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS10P4LLF6

N.º de artículo de Mouser
511-STS10P4LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

Hoja de datos

2,640En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.47

S/2.99

S/2.35

S/2.15

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

40 V

10 A

12.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package

STW28N65M2
STMicroelectronics
1: S/20.98
697En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

697En existencias

S/20.98

S/11.74

S/8.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

180 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

MDmesh

Tube

MOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA75N65DM6
STMicroelectronics
Disponibilidad restringida

N.º de artículo del Fabricante
STWA75N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N65DM6

STMicroelectronics

MOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

Obtenga más información

Hoja de datos

Disponibilidad restringida

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

75 A

36 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

118 nC

- 55 C

+ 150 C

480 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

STB24NM60N
STMicroelectronics
1: S/30.70
223En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

223En existencias

Cinta cortada

S/30.70

S/20.73

S/15.52

Envase tipo carrete

S/14.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH

STB9NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/13.59
695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB9NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB9NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

695En existencias

Cinta cortada

S/13.59

S/8.94

S/6.92

Envase tipo carrete

S/6.92

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5

STD15N65M5
STMicroelectronics
1: S/12.77
989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD15N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD15N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5

Obtenga más información

Hoja de datos

989En existencias

Cinta cortada

S/12.77

S/8.30

S/5.76

S/4.77

S/4.73

Envase tipo carrete

S/4.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

340 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD6N60DM2
STMicroelectronics
1: S/8.82
2,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

Hoja de datos

2,116En existencias

Cinta cortada

S/8.82

S/5.59

S/3.73

S/3.05

S/2.67

Envase tipo carrete

S/2.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.2 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

3.25 V

6.2 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

STE40NC60
STMicroelectronics
1: S/169.03
146En existencias
100En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STE40NC60

N.º de artículo de Mouser
511-STE40NC60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

146En existencias

100En pedido

S/169.03

S/129.77

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

430 nC

- 65 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa

STF14N80K5
STMicroelectronics
1: S/16.38
784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF14N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF14N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa

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S/16.38

S/10.66

S/7.57

S/6.19

S/6.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

12 A

445 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

STF19NM50N
STMicroelectronics
1: S/21.20
546En existencias

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STF19NM50N

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511-STF19NM50N

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V

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S/21.20

S/10.92

S/10.36

S/9.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

250 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W