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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,318

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Marca = STMicroelectronics

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5

STL36N55M5
STMicroelectronics
1: S/26.57
2,982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL36N55M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL36N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5

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2,982En existencias

Cinta cortada

S/26.57

S/18.45

S/13.37

S/13.12

Envase tipo carrete

S/12.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

550 V

22.5 A

90 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

62 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

STL40N10F7
STMicroelectronics
1: S/9.07
2,086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL40N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL40N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

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2,086En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/5.76

S/3.97

S/3.16

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

100 V

20 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL45P3LLH6
STMicroelectronics
1: S/8.30
2,917En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL45P3LLH6

N.º de artículo de Mouser
511-STL45P3LLH6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Hoja de datos

2,917En existencias

Cinta cortada

S/8.30

S/5.20

S/3.42

S/2.71

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

P-Channel

1 Channel

30 V

45 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

4.8 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in

STL7N6LF3
STMicroelectronics
1: S/7.78
1,480En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N6LF3

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N6LF3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in

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1,480En existencias

Cinta cortada

S/7.78

S/4.90

S/3.32

S/2.63

S/2.41

Envase tipo carrete

S/2.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

60 V

20 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

8.7 nC

- 55 C

+ 175 C

52 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STP24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/17.07
853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

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853En existencias

S/17.07

S/7.91

S/7.27

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-1ohm Zener SuperMESH 7.5A

STP9NK70ZFP
STMicroelectronics
1: S/13.24
487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP9NK70ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP9NK70ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-1ohm Zener SuperMESH 7.5A

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487En existencias

S/13.24

S/8.17

S/7.27

S/7.14

S/7.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

7.5 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

3.75 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

STU10NM60N
STMicroelectronics
1: S/17.24
2,998En existencias
2,998En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STU10NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STU10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

Hoja de datos

2,998En existencias

2,998En pedido

S/17.24

S/11.27

S/8.82

S/7.40

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

530 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU16N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.30
808En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

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808En existencias

S/12.30

S/5.72

S/5.20

S/4.43

S/4.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A

STU6NF10
STMicroelectronics
1: S/5.50
4,429En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU6NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STU6NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A

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4,429En existencias

S/5.50

S/2.39

S/2.17

S/1.78

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

100 V

6 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14 nC

- 65 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW8N90K5
STMicroelectronics
1: S/18.71
659En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW8N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

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Hoja de datos

659En existencias

S/18.71

S/10.45

S/7.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa

STY50N105DK5
STMicroelectronics
1: S/100.19
406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STY50N105DK5

N.º de artículo de Mouser
511-STY50N105DK5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa

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Hoja de datos

406En existencias

S/100.19

S/82.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Max247-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

44 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

175 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)

STB23NM50N
STMicroelectronics
1: S/20.77
476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)

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476En existencias

Cinta cortada

S/20.77

S/16.21

S/11.61

S/11.31

Envase tipo carrete

S/10.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

162 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD10N60DM2
STMicroelectronics
1: S/8.43
2,122En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

2,122En existencias

Cinta cortada

S/8.43

S/5.42

S/3.63

S/2.88

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

109 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

STD5N62K3
STMicroelectronics
1: S/7.61
1,691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

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Hoja de datos

1,691En existencias

Cinta cortada

S/7.61

S/4.86

S/3.25

S/2.57

S/2.35

Envase tipo carrete

S/2.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

4.2 A

1.6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

STF27N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/15.31
707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF27N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STF27N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

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Hoja de datos

707En existencias

S/15.31

S/7.74

S/7.01

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

163 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

STF6N65K3
STMicroelectronics
1: S/4.86
795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N65K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N65K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

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Hoja de datos

795En existencias

S/4.86

S/4.77

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

5.4 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STF7N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.35
1,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

Obtenga más información

Hoja de datos

1,929En existencias

S/7.35

S/3.51

S/3.13

S/2.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

860 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen

STF7NM60N
STMicroelectronics
1: S/10.71
571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF7NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen

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Hoja de datos

571En existencias

S/10.71

S/6.11

S/5.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5 A

900 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO

STF9NM60N
STMicroelectronics
1: S/11.48
1,612En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STF9NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF9NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO

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Hoja de datos

1,612En existencias

1,000En pedido

S/11.48

S/5.03

S/4.47

S/3.92

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6.5 A

745 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

17.4 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
STMicroelectronics
1: S/10.15
1,767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL10N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL10N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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Hoja de datos

1,767En existencias

Cinta cortada

S/10.15

S/6.54

S/4.47

S/3.59

S/3.29

Envase tipo carrete

S/3.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

660 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

8.8 nC

- 55 C

+ 150 C

48 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

STP14NK50Z
STMicroelectronics
1: S/22.15
667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP14NK50Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP14NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

667En existencias

S/22.15

S/9.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

14 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

69 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP220N6F7
STMicroelectronics
1: S/12.56
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP220N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP220N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

Obtenga más información

Hoja de datos

1,000En existencias

S/12.56

S/5.89

S/5.63

S/4.56

S/4.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

237 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

STP24N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.92
1,036En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

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1,036En existencias

S/14.92

S/6.41

S/6.02

S/5.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

168 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

STP2N80K5
STMicroelectronics
1: S/4.64
2,819En existencias
2,000Se espera el 27/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

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2,819En existencias

2,000Se espera el 27/04/2026

S/4.64

S/2.73

S/2.55

S/2.27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STP38N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.72
450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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450En existencias

S/13.72

S/11.57

S/11.52

S/11.44

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

71 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

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Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W