Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Calificación
Empaquetado
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Ch 25Vdg JFET 25Vgs 30mA 10mA
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2,351En pedido
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Bulk

Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Ch JFET 40Vgd 40Vgs 40Vds 350mW
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V 40 V 10 V 150 mA 50 mA 30 Ohms 350 mW - 65 C + 150 C CMPF4391 Reel, Cut Tape
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Ch 35Vgd 35Vgs 35Vds 10mA 300mW
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2,315En existencias
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Si Through Hole TO-72-4 N-Channel Single 35 V 35 V 6 V 15 mA 300 mW - 65 C + 200 C 2N4416A Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise
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Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 15 V - 30 V - 4 V 80 mA 500 pA 60 Ohms 1.8 W 2N486 Bulk
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -25V Low Noise
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Si Through Hole TO-52-3 N-Channel Single 10 V - 25 V - 6 V 60 mA 1 nA 500 mW (1/2 W) U308 Bulk
Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-ChJFET 25Vds25Vdg 25Vgs 10mA 310mW
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2,737En existencias
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Si N-Channel 2N5459 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) High Gain, Single N-Channel JFET Amplifier
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Central Semiconductor Transistor de unión de efecto de campo (JFET) N-Ch 35Vgd 35Vgs 35Vds 10mA 300mW
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Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Bulk
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Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube