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GaN FETs

GaN FETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many GaN FET manufacturers including Infineon, MACOM, Qorvo & more. Please view our selection of GaN FETs below.

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Resultados: 491

Filtros aplicados:

Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

IGD70R200D2SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.98
1,860En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGD70R200D2SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGD70R200D2SAUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

Obtenga más información

Hoja de datos

1,860En existencias

Cinta cortada

S/9.98

S/6.45

S/4.39

S/3.47

Envase tipo carrete

S/2.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

700 V

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.3 nC

- 40 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

IGD70R270D2SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
1,872En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGD70R270D2SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGD70R270D2SAUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5

Obtenga más información

Hoja de datos

1,872En existencias

Cinta cortada

S/8.99

S/5.72

S/3.87

S/3.07

Envase tipo carrete

S/2.53

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

700 V

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1 nC

- 40 C

+ 150 C

18 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Bidirectional Switch

IGK120B041SXTSA1
Infineon Technologies
1: S/3.23
2,799En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGK120B041SXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGK120B041SXTSA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Bidirectional Switch

Obtenga más información

Hoja de datos

2,799En existencias

Cinta cortada

S/3.23

S/2.07

S/1.68

S/1.61

Envase tipo carrete

S/1.14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SG-UFWLB-12

1 Channel

40 V

30 A

12 mOhms

4.4 nC

- 40 C

+ 125 C

15 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56

NV6012C-RA
Navitas Semiconductor
1: S/7.83
690En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NV6012C-RA

N.º de artículo de Mouser
740-NV6012C-RA

Nuevo producto

Navitas Semiconductor

GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56

Obtenga más información

Hoja de datos

690En existencias

Cinta cortada

S/7.83

S/5.76

S/5.25

S/4.69

Ver

Envase tipo carrete

S/4.23

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

QFN-8

700 V

2.7 A

600 mOhms

- 10 V, 7 V

2.8 V

0.85 nC

- 55 C

+ 150 C

25.4 W

GaN FETs GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56

NV6015C-RA
Navitas Semiconductor
1: S/15.09
690En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NV6015C-RA

N.º de artículo de Mouser
740-NV6015C-RA

Nuevo producto

Navitas Semiconductor

GaN FETs GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56

Obtenga más información

Hoja de datos

690En existencias

Cinta cortada

S/15.09

S/11.40

S/10.45

S/9.42

Ver

Envase tipo carrete

S/8.64

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

PQFN-8

800 V

8 A

190 mOhms

- 10 V, 7 V

2.6 V

2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

GaN FETs 30W, DC - 6GHz, Flanged

QPD1035L
Qorvo
1: S/1,413.32
90En existencias
50En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
QPD1035L

N.º de artículo de Mouser
772-QPD1035L

Nuevo producto

Qorvo

GaN FETs 30W, DC - 6GHz, Flanged

Obtenga más información

Hoja de datos

90En existencias

50En pedido

Cinta cortada

S/1,413.32

S/1,083.51

Envase tipo carrete

S/1,083.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Flanged

- 40 C

+ 85 C

50.4 W

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN

EPC2367
EPC
1: S/29.63
14,250En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
EPC2367

N.º de artículo de Mouser
65-EPC2367

Nuevo producto

EPC

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN

Hoja de datos

14,250En existencias

Cinta cortada

S/29.63

S/20.00

S/14.84

S/14.02

Envase tipo carrete

S/12.08

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

QFN-5

N-Channel

1 Channel

100 V

101 A

1.2 mOhms

6 V, - 4 V

2.5 V

17 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

eGaN FET

GaN FETs MV GAN DISCRETES

IGC033S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.75
10,565En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC033S10S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC033S10S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs MV GAN DISCRETES

Obtenga más información

Hoja de datos

10,565En existencias

Cinta cortada

S/18.75

S/12.00

S/9.07

S/7.87

Envase tipo carrete

S/6.58

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TSON-6

HEMT

1 Channel

100 V

76 A

3.3 mOhms

- 4 V, + 5.5 V

2.9 V

11 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

IGC037S12S1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/16.81
3,480En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC037S12S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC037S12S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

3,480En existencias

Cinta cortada

S/16.81

S/11.95

S/9.25

S/7.87

Ver

Envase tipo carrete

S/6.58

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

120 V

71 A

3.7 mOhms

6.5 V

2.9 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/48.25
4,794En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGT65R035D2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGT65R035D2ATMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Obtenga más información

Hoja de datos

4,794En existencias

Cinta cortada

S/48.25

S/33.24

S/27.18

S/24.73

Envase tipo carrete

S/22.66

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8

HEMT

1 Channel

650 V

49 A

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5

MAPC-A3008-AB000
MACOM
1: S/1,647.20
50En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MAPC-A3008-AB000

N.º de artículo de Mouser
937-MAPC-A3008-AB000

Nuevo producto

MACOM

GaN FETs Transistor, DC-6.0GHz, 35W, G28V5

Obtenga más información

Hoja de datos

50En existencias

S/1,647.20

S/1,424.50

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

440166

1 Channel

84 V

6 A

- 10 V, + 2 V

- 40 C

+ 85 C

GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C

WST41H0D-GP4
MACOM
10: S/1,565.42
50En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
WST41H0D-GP4

N.º de artículo de Mouser
937-WST41H0D-GP4

Nuevo producto

MACOM

GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C

Obtenga más información

Hoja de datos

50En existencias

S/1,565.42

Min.: 10
Mult.: 10

SMD/SMT

1 Channel

84 V

6 A

60 mOhms

- 10 V, + 2 V

- 2 V

- 40 C

+ 85 C

GaN FETs 30W, DC - 6GHz

QPD1035
Qorvo
1: S/1,413.32
45En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
QPD1035

N.º de artículo de Mouser
772-QPD1035

Nuevo producto

Qorvo

GaN FETs 30W, DC - 6GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

45En existencias

Cinta cortada

S/1,413.32

S/1,083.51

Envase tipo carrete

S/1,083.51

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

Flanged

- 40 C

+ 85 C

50.4 W

GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220

TP65H100G4PS
Renesas Electronics
1: S/24.64
760En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TP65H100G4PS

N.º de artículo de Mouser
227-TP65H100G4PS

Nuevo producto

Renesas Electronics

GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220

Hoja de datos

760En existencias

Cinta cortada

S/24.64

S/15.65

S/12.13

Envase tipo carrete

S/10.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

650 V

18.9 A

110 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.65 V

14.4 nC

- 55 C

+ 150 C

65.8 W

Enhancement

SuperGaN

GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm

EPC2057
EPC
1: S/9.76
4,271En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
EPC2057

N.º de artículo de Mouser
65-EPC2057

Nuevo producto

EPC

GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm

Hoja de datos

4,271En existencias

Cinta cortada

S/9.76

S/6.28

S/4.26

S/3.40

Envase tipo carrete

S/2.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

LGA-4

N-Channel

1 Channel

50 V

9.6 A

8.5 mOhms

6 V, - 4 V

2.5 V

3 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

eGaN FET

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

IGB070S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/13.12
3,837En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGB070S10S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGB070S10S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

3,837En existencias

Cinta cortada

S/13.12

S/9.33

S/6.75

S/5.46

Envase tipo carrete

S/4.30

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

100 V

38 A

7 mOhms

6.5 V

2.9 V

6.1 nC

- 40 C

+ 150 C

23 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs MV GAN DISCRETES

IGB110S101XTMA1
Infineon Technologies
1: S/9.76
2,031En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGB110S101XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGB110S101XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs MV GAN DISCRETES

Obtenga más información

Hoja de datos

2,031En existencias

Cinta cortada

S/9.76

S/5.98

S/4.19

S/3.50

Envase tipo carrete

S/2.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-VSON-4

HEMT

1 Channel

100 V

23 A

- 4 V, + 5.5 V

2.9 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm

IGB110S10S1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/8.64
2,845En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGB110S10S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGB110S10S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

2,845En existencias

Cinta cortada

S/8.64

S/5.33

S/3.87

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

100 V

23 A

11 mOhms

6.5 V

2.9 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

15 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm

IGC019S06S1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.36
3,413En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC019S06S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC019S06S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

3,413En existencias

Cinta cortada

S/18.36

S/11.70

S/8.73

S/7.70

S/7.57

Envase tipo carrete

S/6.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

60 V

99 A

1.9 mOhms

6.5 V

2.9 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm

IGC025S08S1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.36
9,615En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC025S08S1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC025S08S1XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

9,615En existencias

Cinta cortada

S/18.36

S/11.70

S/8.73

S/7.70

S/7.57

Envase tipo carrete

S/6.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

1 Channel

80 V

86 A

2.5 mOhms

6.5 V

2.9 V

12 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs MV GAN DISCRETES

IGC033S101XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.62
4,398En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGC033S101XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGC033S101XTMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs MV GAN DISCRETES

Obtenga más información

Hoja de datos

4,398En existencias

Cinta cortada

S/18.62

S/11.95

S/9.07

S/7.87

S/7.83

Envase tipo carrete

S/6.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-VSON-6

HEMT

1 Channel

100 V

76 A

3.3 mOhms

- 4 V, + 5.5 V

2.9 V

11 nC

- 40 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/28.68
2,328En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLD65R055D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLD65R055D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Obtenga más información

Hoja de datos

2,328En existencias

Cinta cortada

S/28.68

S/19.82

S/15.65

S/14.32

S/13.76

Envase tipo carrete

S/11.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

20 A

70 mOhms

- 10 V

1.2 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

91 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R080D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/22.83
2,712En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLD65R080D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLD65R080D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Obtenga más información

Hoja de datos

2,712En existencias

Cinta cortada

S/22.83

S/15.48

S/11.52

S/11.01

Envase tipo carrete

S/9.33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

18 A

100 mOhms

- 10 V

1.2 V

3.3 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R110D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/18.92
2,664En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLD65R110D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLD65R110D2AUMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Obtenga más información

Hoja de datos

2,664En existencias

Cinta cortada

S/18.92

S/12.21

S/9.29

S/8.17

Envase tipo carrete

S/6.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

20 A

140 mOhms

- 10 V

1.2 V

2.4 nC

- 55 C

+ 150 C

51 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

IGLD65R140D2AUMA1
Infineon Technologies
1: S/18.19
2,757En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IGLD65R140D2AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IGLD65R140D2AUMA

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Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

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Hoja de datos

2,757En existencias

Cinta cortada

S/18.19

S/11.52

S/8.39

S/6.84

Envase tipo carrete

S/5.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PG-LSON-8

HEMT

1 Channel

650 V

12 A

170 mOhms

- 10 V

1.2 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

CoolGaN

GaN FETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

4.5 mm x 4 mm
440109
440109-2
440117
440162
440166
440193
440196
440199
440201
4402015
440206
440210
440217
440223
440224
440225
440226
440226-2
BGA

15 V
28 V
32 V
36 V
40 V
48 V
50 V
60 V
65 V
80 V
84 V
100 V
120 V
125 V
145 V
150 V
160 V
170 V
200 V
350 V

774 uA
50 mA
80 mA
250 mA
326 mA
400 mA
500 mA
557 mA
600 mA
610 mA
650 mA
700 mA
750 mA
800 mA
950 mA
1 A
1.4 A
1.46 A
1.5 A
1.6 A

1 mOhms
1.1 mOhms
1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.25 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4.8 mOhms

- 20 V, + 20 V
- 18 V, + 18 V
- 15 V, 2 V
- 10 V
- 10 V to + 6.5 V
- 10 V, + 10 V
- 10 V, + 2 V
- 10 V, + 6.5 V
- 10 V, + 7 V
- 10 V, 6.5 V
- 10 V, 7 V
- 10 V,+ 2 V
- 8 V, 2 V
- 7 V, + 2 V
- 7 V, + 7 V
- 7 V, 2 V
- 6 V, + 6 V
- 6 V, + 7 V
- 4 V
- 4 V, + 5.5 V

- 10 V, 2 V
- 3.8 V
- 3.4 V
- 3 V
- 2.9 V
- 2.8 V
- 2.7 V
- 2.5 V
- 2.2 V
- 2 V
- 1.8 V
1.2 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
2 V
2.1 V
2.3 V
2.4 V

44 pC
115 pC
133 pC
360 pC
370 pC
0.5 nC
0.53 nC
0.65 nC
670 pC
700 pC
730 pC, 730 pC
745 pC
0.8 nC
800 pC
0.85 nC
0.87 nC
880 pC
1 nC
1.1 nC
1.2 nC

200 mW
1.1 W
5 W
7.5 W
8 W
8.4 W
8.9 W
11 W
12 W
12.5 W
13 W
13.2 W
13.5 W
13.8 W
14 W
14.7 W
15 W
15.3 W
15.8 W
16 W