SyncFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
Hoja de datos
5,704En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 47 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement SyncFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 68 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement SyncFET Reel, Cut Tape, MouseReel