SAB Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V 5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V 16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V 47En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.30V
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.32 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.70V
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 23 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.28 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.80V Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.80V No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 2.8 mOhms - 12 V, 12 V 2.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube