UJ4SC Serie MOSFETs de SiC

Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263 1,207En existencias
800En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL 857En existencias
1,884En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL 1,303En existencias
1,970En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL 1,475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO263- 444En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO263 322En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO247 536En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/6MOSICFETG4TO247- 5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/10MOSICFETG4TOLL 2,000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO247- Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET