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TSM Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 19

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Serie = TSM

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM110NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/ 3.91
8,207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM110NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM110NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

8,207En existencias

Cinta cortada

S/ 3.91

S/ 2.52

S/ 1.85

S/ 1.61

Envase tipo carrete

S/ 1.37

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SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM280NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/ 4.90
8,422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM280NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM280NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

8,422En existencias

Cinta cortada

S/ 4.90

S/ 3.06

S/ 2.01

S/ 1.56

Envase tipo carrete

S/ 1.25

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PDFN-56-8

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1 Channel

60 V

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- 20 V, 20 V

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18 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM033NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/ 8.04
3,886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM033NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM033NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

3,886En existencias

Cinta cortada

S/ 8.04

S/ 4.82

S/ 3.50

S/ 2.97

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S/ 2.61

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SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

77 nC

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+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM036N03PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/ 5.98
1,766En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM036N03PQ56 RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM036N03PQ56RLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

1,766En existencias

Cinta cortada

S/ 5.98

S/ 3.74

S/ 2.48

S/ 2.02

Envase tipo carrete

S/ 2.02

S/ 1.56

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PDFN-56-8

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1 Channel

30 V

124 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM220NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/ 4.95
658En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM220NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM220NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

658En existencias

Cinta cortada

S/ 4.95

S/ 3.19

S/ 2.12

S/ 1.69

Envase tipo carrete

S/ 1.35

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SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

35 A

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- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM025NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/ 3.36
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM025NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM025NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/ 3.36

Min.: 5,000
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: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

161 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM025NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/ 3.36
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM025NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM025NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/ 3.36

Min.: 5,000
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: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

161 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM033NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/ 2.61
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM033NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM033NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/ 2.61

Min.: 5,000
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SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM045NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/ 3.36
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM045NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM045NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

Cinta cortada

S/ 3.36

Min.: 5,000
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: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

104 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM048NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/ 3.36
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM048NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM048NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

Cinta cortada

S/ 3.36

Min.: 5,000
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SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

107 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/ 6.28
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM070NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM070NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/ 6.28

S/ 3.96

S/ 2.63

S/ 2.06

Envase tipo carrete

S/ 1.68

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PDFN56-8

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1 Channel

40 V

75 A

7 mOhms

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2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM070NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/ 6.28
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM070NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM070NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/ 6.28

S/ 3.96

S/ 2.63

S/ 2.06

Envase tipo carrete

S/ 1.68

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

75 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM110NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/ 1.31
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM110NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM110NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/ 1.31

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM130NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/ 6.28
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM130NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM130NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/ 6.28

S/ 3.96

S/ 2.63

S/ 2.06

Envase tipo carrete

S/ 1.68

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

51 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM130NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
180,000: S/ 1.67
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM130NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM130NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/ 1.67

Min.: 180,000
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

51 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/ 4.90
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM150NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM150NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/ 4.90

S/ 3.06

S/ 1.95

S/ 1.56

Envase tipo carrete

S/ 1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

41 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/ 4.90
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM150NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM150NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/ 4.90

S/ 3.06

S/ 2.01

S/ 1.56

Envase tipo carrete

S/ 1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

41 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM220NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/ 1.31
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM220NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM220NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/ 1.31

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

35 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM300NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/ 5.03
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM300NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM300NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/ 5.03

S/ 3.12

S/ 2.05

S/ 1.58

Envase tipo carrete

S/ 1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

TSM Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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