SD5000 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch With Zener Diode Protection
Hoja de datos
231En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-14 N-Channel 4 Channel 20 V 50 mA 75 Ohms - 25 V, 30 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch With Zener Diode Protection
Hoja de datos
190En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-14 N-Channel 4 Channel 10 V 50 mA 75 Ohms - 15 V, 25 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch With Zener Diode Protection
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-14 N-Channel 4 Channel 20 V 50 mA 75 Ohms - 25 V, 30 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel
Linear Integrated Systems Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad High Speed N-Channel Lateral DMOS JFET Switch With Zener Diode Protection
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-14 N-Channel 4 Channel 10 V 50 mA 75 Ohms - 15 V, 25 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel