.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

PJD Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 10

Filtros aplicados:

Serie = PJD

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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Activo

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD40P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/3.61
2,989En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD40P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD40P03EAUL26A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

2,989En existencias

Cinta cortada

S/3.61

S/2.30

Envase tipo carrete

S/2.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

33 A

30.7 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD60P04E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/4.82
2,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD60P04E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD60P04EAUL26A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

2,881En existencias

Cinta cortada

S/4.82

S/3.01

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.72

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

61 A

17.2 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD70P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/4.82
2,532En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD70P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD70P03EAUL26A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

2,532En existencias

Cinta cortada

S/4.82

S/3.01

S/2.58

Envase tipo carrete

S/2.58

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

77 A

13.5 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD75P04E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/5.38
2,927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD75P04E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD75P04EAUL26A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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2,927En existencias

Cinta cortada

S/5.38

S/3.87

Envase tipo carrete

S/3.87

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

67 A

14.3 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD45P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/11.83
2,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD45P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD45P03EAUL26A1

Panjit

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2,888En existencias

Cinta cortada

S/11.83

S/7.65

S/5.29

S/4.28

S/4.10

Envase tipo carrete

S/3.99

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

42 A

15 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD55P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/12.17
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD55P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD55P03EAUL26A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/12.17

S/7.87

S/5.42

S/4.47

S/4.26

Envase tipo carrete

S/4.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

48 A

12.1 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD90P03E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/6.15
2,927En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD90P03E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD90P03EAUL26A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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2,927En existencias

Cinta cortada

S/6.15

Envase tipo carrete

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

88 A

6.4 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD95P04E-AU_L2_006A1
Panjit
1: S/6.84
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD95P04E-AU_L2_006A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJD95P04E-AUL26A

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/6.84

S/4.34

S/3.38

Envase tipo carrete

S/3.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD35P03_L2_00001
Panjit
1: S/3.66
2,783En existencias
3,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PJD35P03_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD35P03L200001

NRND

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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2,783En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/3.66

S/2.27

S/1.47

S/1.13

Envase tipo carrete

S/0.873

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

30 V

35 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD45P04_L2_00001
Panjit
1: S/5.25
1,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PJD45P04_L2_00001

N.º de artículo de Mouser
241-PJD45P04L200001

Panjit

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1,125En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/3.30

S/2.17

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.33

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-3

P-Channel

1 Channel

40 V

45 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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