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OptiMOS-T2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 39

Filtros aplicados:

Serie = OptiMOS-T2

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Empaquetado

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IPD90N04S4L-04
Infineon Technologies
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4,344En existencias

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IPD90N04S4L-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4L-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Cinta cortada

S/6.92

S/4.34

S/2.88

S/2.27

Envase tipo carrete

S/1.87

Ver

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1.2 V

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
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9,396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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9,396En existencias

Cinta cortada

S/15.70

S/10.28

S/7.18

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Envase tipo carrete

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1 Channel

40 V

180 A

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S4-08

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

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16,184En existencias

Cinta cortada

S/5.29

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S/2.17

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
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976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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976En existencias

Cinta cortada

S/17.50

S/11.48

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AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD30N03S4L-14
Infineon Technologies
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8,732En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N03S4L-14

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N03S4L-14

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

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8,732En existencias

Cinta cortada

S/4.69

S/2.94

S/1.93

S/1.49

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Envase tipo carrete

S/1.12

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30 A

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- 16 V, 16 V

1.5 V

14 nC

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31 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB70N04S4-06
Infineon Technologies
1: S/8.39
581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N04S4-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N04S4-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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581En existencias

Cinta cortada

S/8.39

S/5.38

S/3.71

S/3.14

Envase tipo carrete

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AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-02
Infineon Technologies
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873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Cinta cortada

S/13.93

S/9.07

S/6.97

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Envase tipo carrete

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2 V

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+ 175 C

158 W

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AEC-Q100

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-08
Infineon Technologies
1: S/10.92
8,852En existencias
NRND

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IPG20N04S4-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-08

NRND

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/10.92

S/6.92

S/4.60

S/3.79

Ver

Envase tipo carrete

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20 A

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3 V

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65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/10.28
1,092En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Cinta cortada

S/10.28

S/6.62

S/4.52

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Envase tipo carrete

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1 Channel

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150 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-00
Infineon Technologies
1: S/20.25
991En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-00

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-00

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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991En existencias

Cinta cortada

S/20.25

S/13.37

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180 A

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD30N03S4L-09
Infineon Technologies
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3,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N03S4L-09

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726-IPD30N03S4L09

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

3,513En existencias

Cinta cortada

S/2.41

S/2.07

S/1.45

S/1.25

Envase tipo carrete

S/1.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

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- 16 V, 16 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N03S4L-06
Infineon Technologies
1: S/5.46
3,971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N03S4L-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N03S4L-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

3,971En existencias

Cinta cortada

S/5.46

S/3.42

S/2.26

S/1.76

S/1.60

Envase tipo carrete

S/1.43

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4-12
Infineon Technologies
1: S/8.60
9,144En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

9,144En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/5.42

S/3.56

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

12.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-01
Infineon Technologies
1: S/15.48
737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

737En existencias

Cinta cortada

S/15.48

S/10.11

S/7.10

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB90N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/13.20
971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB90N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB90N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

971En existencias

Cinta cortada

S/13.20

S/8.60

S/5.93

S/4.99

Envase tipo carrete

S/4.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N03S4L-02
Infineon Technologies
1: S/9.37
1,585En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N03S4L-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N03S4L-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

1,585En existencias

Cinta cortada

S/9.37

S/4.19

S/4.03

S/3.87

S/3.41

Envase tipo carrete

S/3.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

1.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4-05
Infineon Technologies
1: S/6.24
1,897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S4-05

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4-05

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

1,897En existencias

Cinta cortada

S/6.24

S/3.93

S/2.61

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

86 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L-08
Infineon Technologies
1: S/9.80
6,262En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L-08

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

6,262En existencias

Cinta cortada

S/9.80

S/6.15

S/4.04

S/3.20

Ver

Envase tipo carrete

S/2.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

20 A

7.2 mOhms, 7.2 mOhms

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1.2 V

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+ 175 C

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AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
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3,469En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N04S4L08ATMA1

N.º de artículo de Mouser
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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

3,469En existencias

Cinta cortada

S/9.55

S/6.11

S/4.07

S/3.28

Envase tipo carrete

S/2.66

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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TDSON-8

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40 V

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54 W

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AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Infineon Technologies
1: S/11.18
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N.º de artículo del Fabricante
IPD100N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPD100N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S4-10
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IPD50N04S4-10

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50 A

9.3 mOhms

- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

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IPD90N04S4-03
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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

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OptiMOS

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40 V

90 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB100N04S4-H2
Infineon Technologies
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712En existencias

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IPB100N04S4-H2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N04S4-H2

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S/4.14

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

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AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB160N04S4-H1
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IPB160N04S4-H1

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726-IPB160N04S4-H1

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Cinta cortada

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S/9.20

S/7.05

S/5.89

Envase tipo carrete

S/5.12

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

160 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

137 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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OptiMOS-T2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

800 uOhms
900 uOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.58 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.88 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.4 mOhms
2.7 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.6 mOhms
4.1 mOhms
4.2 mOhms
4.3 mOhms
5.3 mOhms

14 nC
18 nC
18.2 nC
20 nC
22.4 nC
26 nC
30 nC
31 nC
32 nC
33 nC
36 nC
37 nC
39 nC
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50 nC
51 nC
60 nC
66 nC
90 nC
91 nC