NVMFD016N06C Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
968En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 Reel