NVMFD010N10MCL Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Hoja de datos
1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 61 A 10.4 mOhms 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Hoja de datos
744En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 100 V 61 A 10.4 mOhms 20 V 3 V 26 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape