GCMS Serie Módulos MOSFET

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMS Tube
SemiQ Módulos MOSFET 1200V SBD Module, 9mohm COPACK, SOT-227
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 204 A 14 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 55 C + 175 C 652 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET Modules 1700V, 30mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Hoja de datos

GCMS Tube