CSD87501L Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD87501L 30-VDual N Channel Power MOSFE A 595-CSD87501LT
Hoja de datos
4,906En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT BGA-10 N-Channel 2 Channel 30 V 14 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 40 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET A 595- A 595-CSD87501L
Hoja de datos
472En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT BGA-10 N-Channel 2 Channel 30 V 14 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel