CSD17313Q2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T
Hoja de datos
24,887En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,920
: 3,000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 17 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2
Hoja de datos
729En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280
: 250

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 32 mOhms - 8 V, 10 V 900 mV 2.1 nC - 55 C + 150 C 17 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel