CSD15380F3 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD15380F3T
Hoja de datos
11,881En existencias
15,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 1.46 Ohms - 10 V, 10 V 1.1 V 216 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20-V N-Ch FemtoFET A 595-CSD15380F3 A 59 A 595-CSD15380F3
Hoja de datos
1,121En existencias
951En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 210
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 1.46 Ohms - 10 V, 10 V 850 mV 216 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement PicoStar Reel, Cut Tape, MouseReel