CPC3708 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Depletion Mode FET
Hoja de datos
3,585En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 350 V 5 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 3.6 V - 40 C + 110 C 1.1 W Depletion Clare Reel, Cut Tape

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Depletion Mode FET
Hoja de datos
1,098En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 350 V 5 mA 8 Ohms - 20 V, 20 V 3.6 V - 40 C + 110 C 2.5 W Depletion Clare Reel, Cut Tape