CDMS247 Serie MOSFETs de SiC

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Central Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Hoja de datos
27En existencias
30En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
Central Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Hoja de datos
30En existencias
30En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 37 A 20 V 2.6 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion