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BSS123 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

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Serie = BSS123

Fabricante

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS123N H6327
Infineon Technologies
1: S/1.72
547,369En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS123N H6327

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123NH6327

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

Hoja de datos

547,369En existencias

Cinta cortada

S/1.72

S/1.17

S/0.74

S/0.46

Envase tipo carrete

S/0.297

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

2.4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT-23 N-CH LOGIC

BSS123
onsemi
1: S/1.89
423,464En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS123

N.º de artículo de Mouser
512-BSS123

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT-23 N-CH LOGIC

Hoja de datos

423,464En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/1.89

S/1.33

S/0.839

S/0.529

Envase tipo carrete

S/0.404

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V

BSS123TA
Diodes Incorporated
1: S/2.06
43,986En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS123TA

N.º de artículo de Mouser
522-BSS123TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V

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43,986En existencias

Cinta cortada

S/2.06

S/1.28

S/0.808

S/0.606

Envase tipo carrete

S/0.421

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

360 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 360mW

BSS123-7-F
Diodes Incorporated
1: S/0.989
110,580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS123-7-F

N.º de artículo de Mouser
621-BSS123-F

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 360mW

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110,580En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/0.989

S/0.598

S/0.37

S/0.271

Envase tipo carrete

S/0.189

Ver

MouseReel Disponible

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Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
1: S/1.08
96,434En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS123NH6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123NH6327XTSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

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96,434En existencias

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Cinta cortada

S/1.08

S/0.628

S/0.46

S/0.366

Envase tipo carrete

S/0.258

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS123NH6433XTMA1
Infineon Technologies
1: S/1.29
6,176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS123NH6433XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123NH6433XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

Hoja de datos

6,176En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/1.29

S/0.783

S/0.49

S/0.366

Envase tipo carrete

S/0.194

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

2.4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

SP000870646
Infineon Technologies
1: S/1.72
22,587En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SP000870646

N.º de artículo de Mouser
726-SP000870646

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

Hoja de datos

22,587En existencias

Cinta cortada

S/1.72

S/1.17

S/0.74

S/0.464

Envase tipo carrete

S/0.353

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

BSS123N H6433
Infineon Technologies
1: S/1.68
6,646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS123N H6433

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123NH6433

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

Hoja de datos

6,646En existencias

Cinta cortada

S/1.68

S/1.15

S/0.731

S/0.452

Envase tipo carrete

S/0.219

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

2.4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.4 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

BSS123-13P
Micro Commercial Components (MCC)
1: S/0.86
8,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS123-13P

N.º de artículo de Mouser
833-BSS123-13P

Micro Commercial Components (MCC)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Hoja de datos

8,969En existencias

Cinta cortada

S/0.86

S/0.538

S/0.335

S/0.245

Envase tipo carrete

S/0.129

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

10 Ohms

- 20 V, 20 V

2.8 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W

BSS123-TP
Micro Commercial Components (MCC)
1: S/0.86
6,386En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSS123-TP

N.º de artículo de Mouser
833-BSS123-TP

Micro Commercial Components (MCC)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W

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Hoja de datos

6,386En existencias

Cinta cortada

S/0.86

S/0.538

S/0.335

S/0.245

Envase tipo carrete

S/0.176

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

350 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

BSS123 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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