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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 21A

PSMN045-100HLX
Nexperia
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PSMN045-100HLX

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771-PSMN045-100HLX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 21A

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SMD/SMT

LFPAK-56D-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 417A

SIJK5100E-T1-GE3
Vishay
1: S/13.24
4,126En existencias
Nuevo producto

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SIJK5100E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJK5100E-T1-GE3

Nuevo producto

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 417A

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S/13.24

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S/13.24

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: 1,500

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SMD/SMT

PowerPAK-16

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK

PSMN9R5-100BS,118
Nexperia
1: S/12.64
1,011En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN9R5-100BS,118

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN9R5-100BS118

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R5-100BS/SOT404/D2PAK

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S/12.64

S/8.17

S/5.85

S/4.56

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S/4.23

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: 800

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V N-CH MOSFET

SIJH5100E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/29.54
1,857En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIJH5100E-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIJH5100E-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V N-CH MOSFET

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S/29.54

S/19.95

S/14.75

S/13.98

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S/13.98

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Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerPAK-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-Channel 100V (D-S), PowerPAK SO-8S, 2.5 mohm at 10V

SIRS5100DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/18.45
394En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRS5100DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRS5100DP-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-Channel 100V (D-S), PowerPAK SO-8S, 2.5 mohm at 10V

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S/18.45

S/12.17

S/8.60

S/7.87

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SO-8S

N-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 100V HIGH GAIN

ZXTN25100DFHTA
Diodes Incorporated
1: S/4.09
19,747En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXTN25100DFHTA

N.º de artículo de Mouser
621-ZXTN25100DFHTA

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 100V HIGH GAIN

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S/4.09

S/2.55

S/1.66

S/1.28

S/1.16

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S/1.16

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Mult.: 1
Máx.: 1,790

: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-23-3

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power

ZXTN25100BFHTA
Diodes Incorporated
1: S/4.09
10,839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXTN25100BFHTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXTN25100BFHTA

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power

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S/4.09

S/2.49

S/1.66

S/1.27

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S/1.27

MouseReel Disponible

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Mult.: 1
Máx.: 740

: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-23-3

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 100V NPN High Gain 180V 85mOhm

ZXTN25100DGQTA
Diodes Incorporated
1: S/5.89
399En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXTN25100DGQTA

N.º de artículo de Mouser
621-ZXTN25100DGQTA

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 100V NPN High Gain 180V 85mOhm

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S/5.89

S/3.69

S/2.45

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.74

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-223-4

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 100V 1A

ZXTP25100CFHTA
Diodes Incorporated
1: S/4.47
1,646En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXTP25100CFHTA

N.º de artículo de Mouser
621-ZXTP25100CFHTA

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 100V 1A

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1,646En existencias

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S/4.47

S/2.76

S/1.82

S/1.43

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S/1.11

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Mult.: 1

: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-23-3

PNP

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Low Sat Transist

ZXTP25100CFHQTA
Diodes Incorporated
1: S/3.87
2,211En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXTP25100CFHQTA

N.º de artículo de Mouser
621-ZXTP25100CFHQTA

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Low Sat Transist

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S/3.87

S/2.40

S/1.56

S/1.20

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.864

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: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-23-3

PNP

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power

ZXTP25100BFHTA
Diodes Incorporated
1: S/4.09
212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXTP25100BFHTA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXTP25100BFHTA

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power

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212En existencias

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S/4.09

S/2.55

S/1.66

S/1.27

S/1.15

Envase tipo carrete

S/1.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-23-3

PNP

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 100V HIGH GAIN

ZXTN25100DGTA
Diodes Incorporated
1: S/4.17
667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXTN25100DGTA

N.º de artículo de Mouser
621-ZXTN25100DGTA

Diodes Incorporated

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 100V HIGH GAIN

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667En existencias

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Cinta cortada

S/4.17

S/2.54

S/1.70

S/1.31

Envase tipo carrete

S/1.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-223-4

NPN

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 115A

PSMN5R5-100YSFX
Nexperia
1: S/13.20
1,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN5R5-100YSFX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN5R5-100YSFX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 115A

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S/13.20

S/8.47

S/5.98

S/5.07

S/4.24

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S/3.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY

CLF3H0035-100U
Ampleon
1: S/1,277.53
53En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
CLF3H0035-100U

N.º de artículo de Mouser
94-CLF3H0035-100U

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY

Hoja de datos

53En existencias

S/1,277.53

S/1,088.80

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs

GaN Si

Screw Mount

SOT467C-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y65-100E/SOT669/LFPAK

BUK9Y65-100E,115
Nexperia
1: S/4.17
13,467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y65-100E,115

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y65-100E115

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y65-100E/SOT669/LFPAK

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13,467En existencias

Cinta cortada

S/4.17

S/2.61

S/1.71

S/1.31

Envase tipo carrete

S/1.02

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3A N-Channel

NTF3055-100T1G
onsemi
1: S/6.19
12,818En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTF3055-100T1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTF3055-100T1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3A N-Channel

Hoja de datos

12,818En existencias

Cinta cortada

S/6.19

S/3.92

S/2.61

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,440

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 19A

BUK7Y65-100EX
Nexperia
1: S/4.73
2,182En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK7Y65-100EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y65-100EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 19A

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2,182En existencias

Cinta cortada

S/4.73

S/2.94

S/1.94

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.18

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

MOSFETs

SMD/SMT

LFPAK-56-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 55A N-CH MOSFET

PSMN015-100YSFX
Nexperia
1: S/7.10
168En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN015-100YSFX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN015-100YSFX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 55A N-CH MOSFET

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168En existencias

Cinta cortada

S/7.10

S/4.47

S/2.98

S/2.34

Envase tipo carrete

S/1.79

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

MOSFETs

SMD/SMT

SO8-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9675-100A/SOT404/D2PAK

BUK9675-100A,118
Nexperia
1: S/9.20
539En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9675-100A,118

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9675-100A118

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9675-100A/SOT404/D2PAK

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Cinta cortada

S/9.20

S/5.89

S/3.98

S/2.99

Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 69A

PSMN015-100YLX
Nexperia
1: S/7.96
272En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PSMN015-100YLX

N.º de artículo de Mouser
771-PSMN015-100YLX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 69A

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Cinta cortada

S/7.96

S/5.07

S/3.40

S/2.69

S/2.30

Envase tipo carrete

S/2.26

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Mult.: 1

: 1,500

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K45-100E/SOT1205/LFPAK56D

BUK9K45-100E,115
Nexperia
1: S/7.10
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9K45-100E,115

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9K45-100E115

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K45-100E/SOT1205/LFPAK56D

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S/7.10

S/4.43

S/2.74

S/2.12

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

MOSFETs

SMD/SMT

LFPAK-56D-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-100E/SOT669/LFPAK

BUK9Y15-100E,115
Nexperia
1: S/9.07
1,433En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Y15-100E,115

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y15-100E115

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-100E/SOT669/LFPAK

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S/9.07

S/5.85

S/3.95

S/3.14

Envase tipo carrete

S/2.70

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Mult.: 1

: 1,500

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-669-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 21.4A

BUK7K45-100EX
Nexperia
1: S/6.28
2,332En existencias
1,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BUK7K45-100EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK7K45-100EX

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 21.4A

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S/6.28

S/3.96

S/2.63

S/2.06

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

MOSFETs

SMD/SMT

LFPAK-56D-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Q25-100L/SOT8002/MLPAK33

BUK9Q25-100LJ
Nexperia
1: S/5.20
320En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BUK9Q25-100LJ

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Q25-100LJ

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S/5.20

S/3.23

S/2.13

S/1.67

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S/1.29

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Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K35-100L/SOT1205/LFPAK56D

BUK9K35-100LX
Nexperia
1: S/7.74
9En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
BUK9K35-100LX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK9K35-100LX

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S/4.86

S/3.21

S/2.55

S/2.26

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S/2.26

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Mult.: 1

: 1,500

MOSFETs

SMD/SMT

Power SO-8

N-Channel

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