4884 Transistores

Resultados: 11
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 1,296En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 1,172En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 977En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 3,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 1,676En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 8,907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 3,057En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 91En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 1,896En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
1,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole N-Channel
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT1118 60V 1A NPN/PNP BJT Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DFN-2020-6 NPN, PNP