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4884 Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP019N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/15.78
1,296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP019N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP019N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,296En existencias

S/15.78

S/6.41

S/6.19

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP024N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/15.05
977En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP024N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP024N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

977En existencias

S/15.05

S/7.61

S/7.01

S/5.81

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP050N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/12.73
1,172En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP050N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP050N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,172En existencias

S/12.73

S/6.36

S/5.72

S/4.64

S/4.60

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

SCR TAPE13 SCR

BT300S-600R,118
WeEn Semiconductors
1: S/6.54
3,372En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BT300S-600R,118

N.º de artículo de Mouser
771-BT300S-600R118

WeEn Semiconductors

SCR TAPE13 SCR

Hoja de datos

3,372En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SCRs

SMD/SMT

SOT-428-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP026N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/17.93
1,676En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP026N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP026N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,676En existencias

S/17.93

S/9.85

S/8.94

S/8.00

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP055N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/10.75
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP055N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

3,000En existencias

S/10.75

S/5.29

S/4.77

S/3.81

S/3.66

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.13
3,057En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

3,057En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.58

S/1.68

S/1.29

Envase tipo carrete

S/0.929

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-223-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.35
9,027En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R2K0P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R2K0P7SATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

9,027En existencias

Cinta cortada

S/3.35

S/2.07

S/1.34

S/1.02

S/0.92

Envase tipo carrete

S/0.697

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-223-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP040N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/13.33
1,091En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,091En existencias

S/13.33

S/7.61

S/6.36

S/5.33

S/4.64

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/9.37
1,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP082N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,896En existencias

S/9.37

S/5.50

S/4.19

S/3.61

S/3.05

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP016N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/19.35
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP016N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

1,000En pedido

S/19.35

S/9.98

S/9.07

S/8.13

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

Módulos de semiconductores discretos THYR / DIODE MODULE DK

TD570N16KOFXPSA1
Infineon Technologies
2: S/1,309.82
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Próximamente

N.º de artículo del Fabricante
TD570N16KOFXPSA1

N.º de artículo de Mouser
726-TD570N16KOFXPSA1

Próximamente

Infineon Technologies

Módulos de semiconductores discretos THYR / DIODE MODULE DK

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

S/1,309.82

S/1,226.79

Min.: 2
Mult.: 2

Discrete Semiconductor Modules

Screw Mount

144 mm x 60 mm x 52 mm

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT1118 60V 1A NPN/PNP BJT

PBSS4160PANP-QX
Nexperia
1: S/4.47
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PBSS4160PANP-QX

N.º de artículo de Mouser
771-PBSS4160PANP-QX

Nexperia

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT1118 60V 1A NPN/PNP BJT

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

S/4.47

S/3.19

S/1.98

S/1.37

S/1.15

Envase tipo carrete

S/1.03

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

DFN-2020-6

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