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2826 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 7

Filtros aplicados:

Fabricante

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TRANSISTOR MOS-IC

UPA2826T1S-E2-AT
Renesas Electronics
1: S/ 10.84
448En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UPA2826T1S-E2-AT

N.º de artículo de Mouser
968-UPA2826T1S-E2-AT

Renesas Electronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER TRANSISTOR MOS-IC

Hoja de datos

448En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/ 10.84

S/ 6.97

S/ 4.77

S/ 3.83

S/ 3.54

Envase tipo carrete

S/ 3.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

HWSON-8

P-Channel

1 Channel

20 V

27 A

4.3 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

37 nC

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

SP000928260
Infineon Technologies
2,500: S/ 2.94
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SP000928260

N.º de artículo de Mouser
726-SP000928260

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 2.94

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

594 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 8.7A DPAK-2

SP000928262
Infineon Technologies
2,500: S/ 3.83
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SP000928262

N.º de artículo de Mouser
726-SP000928262

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 8.7A DPAK-2

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 3.83

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

8.7 A

420 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83.3 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

IPD65R660CFDA
Infineon Technologies
1: S/ 9.72
4,066En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R660CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R660CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

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Hoja de datos

4,066En existencias

Cinta cortada

S/ 9.72

S/ 6.24

S/ 4.24

S/ 3.38

S/ 3.22

Envase tipo carrete

S/ 2.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

594 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

20 nC

- 40 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

IPB65R190CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 19.26
775En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190CFDAATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

775En existencias

Cinta cortada

S/ 19.26

S/ 12.73

S/ 9.03

S/ 8.00

Envase tipo carrete

S/ 7.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

17.5 A

171 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

IPB65R190CFDA
Infineon Technologies
1: S/ 18.49
768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R190CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

768En existencias

Cinta cortada

S/ 18.49

S/ 12.38

S/ 9.50

S/ 8.56

Envase tipo carrete

S/ 7.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

17.5 A

171 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

68 nC

- 40 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COOL MOS

IPD65R420CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 12.00
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R420CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R420CFDAATM

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COOL MOS

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/ 12.00

S/ 7.74

S/ 5.33

S/ 4.28

S/ 4.02

Envase tipo carrete

S/ 3.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

AEC-Q100

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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