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1067 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 25

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC034N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.70
12,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC034N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC034N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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12,667En existencias

Cinta cortada

S/11.70

S/6.79

S/4.95

S/4.15

Ver

Envase tipo carrete

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1 Channel

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100 A

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- 20 V, 20 V

2.1 V

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- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ028N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.84
9,900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ028N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ028N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

9,900En existencias

Cinta cortada

S/6.84

S/3.88

S/2.73

S/2.27

Envase tipo carrete

S/1.58

Ver

MouseReel Disponible

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+ 150 C

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Infineon Technologies
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1,314En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
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726-IPB45N06S4L08AT3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Hoja de datos

1,314En existencias

Cinta cortada

S/9.37

S/5.68

S/4.06

S/3.24

Envase tipo carrete

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Ver

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60 V

45 A

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AEC-Q101

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ034N04LSATMA1
Infineon Technologies
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49,909En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ034N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ034N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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49,909En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.25

S/2.94

S/2.30

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.70

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Infineon Technologies
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18,978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC032N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC032N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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18,978En existencias

Cinta cortada

S/6.32

S/3.97

S/2.64

S/2.06

Ver

Envase tipo carrete

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BSC066N06NSATMA1
Infineon Technologies
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13,357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC066N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC066N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Cinta cortada

S/7.65

S/4.64

S/3.41

S/2.69

Ver

Envase tipo carrete

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Infineon Technologies
1: S/6.62
7,562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC019N04LSATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Cinta cortada

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S/4.39

S/2.92

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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15,540En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC026N04LSATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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15,540En existencias

Cinta cortada

S/6.75

S/3.73

S/2.51

S/2.00

Ver

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ068N06NS
Infineon Technologies
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5,183En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ068N06NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ068N06NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Hoja de datos

5,183En existencias

Cinta cortada

S/6.75

S/4.24

S/2.76

S/2.12

Envase tipo carrete

S/1.86

Ver

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- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.49
8,314En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC097N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC097N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

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Hoja de datos

8,314En existencias

Cinta cortada

S/6.49

S/4.09

S/2.72

S/2.13

Ver

Envase tipo carrete

S/1.65

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

46 A

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- 20 V, 20 V

2.1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPP100N06S2L05AKSA2
Infineon Technologies
1: S/20.73
527En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP100N06S2L05AKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPP100N06S2L05AK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Hoja de datos

527En existencias

S/20.73

S/10.79

S/9.80

S/8.94

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TO-220-3

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55 V

100 A

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300 W

Enhancement

AEC-Q101

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ100N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.06
2,471En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

2,471En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/6.06

S/3.80

S/2.66

S/2.17

Ver

Envase tipo carrete

S/1.49

MouseReel Disponible

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N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

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2.1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC066N06NS
Infineon Technologies
1: S/7.96
13,234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC066N06NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC066N06NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Hoja de datos

13,234En existencias

Cinta cortada

S/7.96

S/5.07

S/3.37

S/2.76

Ver

Envase tipo carrete

S/2.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

64 A

6.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPB80N06S2L06ATMA2
Infineon Technologies
1: S/17.20
766En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S2L06ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S2L06ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Hoja de datos

766En existencias

Cinta cortada

S/17.20

S/12.30

S/8.64

S/7.05

Envase tipo carrete

S/6.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IPB80N06S2L07ATMA3
Infineon Technologies
1: S/17.03
651En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB80N06S2L07ATMA3

N.º de artículo de Mouser
726-IPB80N06S2L07ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Obtenga más información

Hoja de datos

651En existencias

Cinta cortada

S/17.03

S/11.14

S/7.78

S/6.49

Envase tipo carrete

S/5.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

210 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ100N06NS
Infineon Technologies
1: S/5.81
12,795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ100N06NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ100N06NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Hoja de datos

12,795En existencias

Cinta cortada

S/5.81

S/3.64

S/2.41

S/1.98

Ver

Envase tipo carrete

S/1.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSC034N06NS
Infineon Technologies
1: S/12.26
479En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC034N06NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC034N06NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Hoja de datos

479En existencias

Cinta cortada

S/12.26

S/7.83

S/5.42

S/4.60

S/4.30

Envase tipo carrete

S/3.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC019N04LS
Infineon Technologies
1: S/7.61
2,455En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC019N04LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC019N04LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Hoja de datos

2,455En existencias

Cinta cortada

S/7.61

S/4.86

S/3.23

S/2.64

Ver

Envase tipo carrete

S/2.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

57 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ028N04LS
Infineon Technologies
1: S/7.61
1,350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ028N04LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ028N04LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Hoja de datos

1,350En existencias

Cinta cortada

S/7.61

S/4.77

S/3.09

S/2.38

Envase tipo carrete

S/1.75

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

114 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ068N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.79
400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ068N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ068N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

400En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/6.79

S/4.24

S/2.76

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC026N04LS
Infineon Technologies
1: S/7.35
1,113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC026N04LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC026N04LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Hoja de datos

1,113En existencias

Cinta cortada

S/7.35

S/4.56

S/2.99

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.78

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

BSC097N06NS
Infineon Technologies
1: S/6.28
39En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC097N06NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC097N06NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

Hoja de datos

39En existencias

Cinta cortada

S/6.28

S/3.96

S/2.62

S/2.07

Ver

Envase tipo carrete

S/1.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

46 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC032N04LS
Infineon Technologies
1: S/7.01
478En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC032N04LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC032N04LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Hoja de datos

478En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.39

S/2.84

S/2.18

Envase tipo carrete

S/1.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

98 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3.4A

BUK6D77-60EX
Nexperia
1: S/3.10

N.º de artículo del Fabricante
BUK6D77-60EX

N.º de artículo de Mouser
771-BUK6D77-60EX

Nexperia

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1220 N-CH 60V 3.4A

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Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

S/3.10

S/1.91

S/1.29

S/0.959

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.645

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

60 V

10.6 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

9.2 nC

- 55 C

+ 175 C

18.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSZ034N04LS
Infineon Technologies
5,000: S/1.72
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
BSZ034N04LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ034N04LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.72

S/1.70

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

40 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

1067 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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