Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723
XP2N1K2EN1
YAGEO XSemi
1:
S/1.03
10,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP2N1K2EN1
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723
10,000 En existencias
1
S/1.03
10
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100
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500
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10,000
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20,000
Ver
1,000
S/0.224
5,000
S/0.194
20,000
S/0.138
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-723-3
N-Channel
1 Channel
20 V
200 mA
1.2 Ohms
- 8 V, 8 V
1 V
700 pC
- 55 C
+ 150 C
150 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3
XP3P010YT
YAGEO XSemi
1:
S/4.04
3,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP3P010YT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3
3,000 En existencias
1
S/4.04
10
S/2.49
100
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Ver
1,000
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9,000
S/0.86
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Detalles
Si
SMD/SMT
PMPAK-8
P-Channel
1 Channel
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14.6 A
10 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
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+ 150 C
3.12 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
XP10N3R5XT
YAGEO XSemi
1:
S/8.13
2,995 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP10N3R5XT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
2,995 En existencias
1
S/8.13
10
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Si
SMD/SMT
PMPAK-8
N-Channel
1 Channel
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+ 150 C
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251
XP10NA011J
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA011J
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251
6,687 En existencias
1
S/5.07
10
S/2.18
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Ver
1,040
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S/1.25
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Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
100 V
48.5 A
11 mOhms
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Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL
XP10NA1R5TL
YAGEO XSemi
1:
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N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA1R5TL
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL
1,870 En existencias
1
S/21.67
10
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2,000
S/9.12
Comprar
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Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
347 A
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- 20 V, 20 V
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190 nC
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+ 175 C
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
XP3832CMT
YAGEO XSemi
1:
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N.º de artículo de Mouser 603-XP3832CMT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
2,997 En existencias
1
S/8.00
10
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S/2.34
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Si
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PMPAK-8
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
XP3N1R0MT
YAGEO XSemi
1:
S/7.91
2,970 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP3N1R0MT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
2,970 En existencias
1
S/7.91
10
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S/2.29
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Si
SMD/SMT
PMPAK-8
N-Channel
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900 mV
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+ 150 C
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
XP4NA1R4CMT-A
YAGEO XSemi
1:
S/7.65
2,999 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP4NA1R4CMT-A
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
2,999 En existencias
1
S/7.65
10
S/4.90
100
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S/2.42
3,000
S/2.20
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Detalles
Si
SMD/SMT
PMPAK-8
N-Channel
1 Channel
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3 V
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+ 150 C
5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
XP4NAR95CMT-A
YAGEO XSemi
1:
S/9.59
2,989 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP4NAR95CMT-A
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
2,989 En existencias
1
S/9.59
10
S/6.19
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S/4.18
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S/3.34
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S/3.01
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PMPAK-8
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252
XP60SA290DH
YAGEO XSemi
1:
S/9.55
2,846 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP60SA290DH
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252
2,846 En existencias
1
S/9.55
10
S/6.15
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S/4.17
500
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1,000
S/3.26
3,000
S/2.99
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3/2
N-Channel
1 Channel
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5 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262
XP60SL115DR
YAGEO XSemi
1:
S/19.18
999 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP60SL115DR
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262
999 En existencias
1
S/19.18
10
S/9.89
100
S/8.94
500
S/7.74
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
600 V
28 A
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- 20 V, 20 V
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+ 150 C
2 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252
XP65SL380DH
YAGEO XSemi
1:
S/9.59
3,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP65SL380DH
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252
3,000 En existencias
1
S/9.59
10
S/6.19
100
S/4.18
500
S/3.34
1,000
S/3.29
3,000
S/3.01
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3/2
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
380 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
XP6NA1R4CXT
YAGEO XSemi
1:
S/12.56
2,960 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP6NA1R4CXT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
2,960 En existencias
1
S/12.56
10
S/8.13
100
S/5.63
500
S/4.64
1,000
S/4.47
3,000
S/4.34
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PMPAK-8
N-Channel
1 Channel
60 V
210 A
1.45 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
122 nC
- 55 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
XP6NA1R7CMT
YAGEO XSemi
1:
S/10.54
2,995 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP6NA1R7CMT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
2,995 En existencias
1
S/10.54
10
S/6.79
100
S/4.64
500
S/3.70
1,000
S/3.54
3,000
S/3.41
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PMPAK-8
N-Channel
1 Channel
60 V
190 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
100 nC
- 55 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252
XP6NA3R0H
YAGEO XSemi
1:
S/7.74
2,982 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP6NA3R0H
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252
2,982 En existencias
1
S/7.74
10
S/4.95
100
S/3.30
500
S/2.61
1,000
S/2.46
3,000
S/2.23
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3/2
N-Channel
1 Channel
60 V
126 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
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- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL
XP8NA1R2TL
YAGEO XSemi
1:
S/21.50
1,994 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP8NA1R2TL
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL
1,994 En existencias
1
S/21.50
10
S/14.28
100
S/10.19
500
S/9.68
1,000
S/9.03
2,000
S/9.03
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
80 V
400 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
5 V
265 nC
- 55 C
+ 175 C
3.75 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
XP8NA2R2CXT
YAGEO XSemi
1:
S/11.01
3,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP8NA2R2CXT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
3,000 En existencias
1
S/11.01
10
S/7.10
100
S/4.86
500
S/3.90
1,000
S/3.77
3,000
S/3.62
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PMPAK-8
N-Channel
1 Channel
80 V
168 A
2.2 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
112 nC
- 55 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1
XP10C150M
YAGEO XSemi
1:
S/3.53
2,958 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP10C150M
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1
2,958 En existencias
1
S/3.53
10
S/2.19
100
S/1.42
500
S/1.08
3,000
S/0.83
6,000
Ver
1,000
S/0.998
6,000
S/0.765
9,000
S/0.748
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel, P-Channel
1 Channel
100 V
2.5 A
150 mOhms, 160 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
11 nC, 32 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
XP10N3R8IT
YAGEO XSemi
1:
S/10.62
1,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP10N3R8IT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
1,000 En existencias
1
S/10.62
10
S/5.20
100
S/4.64
500
S/3.74
1,000
S/3.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220CFM-3
N-Channel
1 Channel
100 V
67.7 A
3.88 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
82 nC
- 55 C
+ 150 C
1.92 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220
XP10N3R8P
YAGEO XSemi
1:
S/10.28
1,758 En existencias
2,958 En pedido
N.º de artículo de Mouser 603-XP10N3R8P
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220
1,758 En existencias
2,958 En pedido
1
S/10.28
10
S/5.03
100
S/4.11
500
S/3.58
1,000
S/3.29
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
132 A
3.88 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
85 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252
XP10NA011H
YAGEO XSemi
1:
S/5.25
2,952 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA011H
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252
2,952 En existencias
1
S/5.25
10
S/3.29
100
S/2.17
500
S/1.69
3,000
S/1.33
6,000
Ver
1,000
S/1.53
6,000
S/1.30
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3/2
N-Channel
1 Channel
100 V
48.5 A
11 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T
XP10NA8R4IT
YAGEO XSemi
1:
S/6.88
967 En existencias
N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA8R4IT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T
967 En existencias
1
S/6.88
10
S/3.19
100
S/2.55
500
S/2.18
1,000
Ver
1,000
S/1.92
2,500
S/1.90
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220CFM-3
N-Channel
1 Channel
100 V
44 A
8.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
1.92 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3
XP10TN028YT
YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3
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Si
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PMPAK-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252
XP10TN135H
YAGEO XSemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252
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Si
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TO-252-3/2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223
XP10TN135K
YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223
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Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
1 Channel
100 V
3 A
135 mOhms
- 20 V, 20 V
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
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