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STMicroelectronics FDmesh Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 11

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics Nombre comercial = FDmesh

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STW20NM50FD
STMicroelectronics
1: S/25.50
489En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM50FD

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM50FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

489En existencias

S/25.50

S/19.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

53 nC

- 65 C

+ 150 C

214 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STP24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/17.07
853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

Obtenga más información

Hoja de datos

853En existencias

S/17.07

S/7.91

S/7.27

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60FD
STMicroelectronics
1: S/32.29
5,233En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

5,233En existencias

2,000En pedido

S/32.29

S/17.63

S/16.17

S/15.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

54 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STB20NM50FDT4
STMicroelectronics
1: S/30.06
2,058En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM50FDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50FD

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

2,058En existencias

Cinta cortada

S/30.06

S/20.30

S/15.09

Envase tipo carrete

S/14.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/16.08
1,415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,415En existencias

Cinta cortada

S/16.08

S/10.54

S/7.40

S/6.54

Envase tipo carrete

S/6.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STW20NM60FD
STMicroelectronics
1: S/31.00
815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW20NM60FD

N.º de artículo de Mouser
511-STW20NM60FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

815En existencias

S/31.00

S/17.89

S/14.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

37 nC

- 65 C

+ 150 C

214 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

STP11NM60ND
STMicroelectronics
1: S/21.67
492En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

Obtenga más información

Hoja de datos

492En existencias

S/21.67

S/11.35

S/10.02

S/8.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STP20NM50FD
STMicroelectronics
1: S/34.36
354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM50FD

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM50FD

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

354En existencias

S/34.36

S/18.66

S/17.16

S/16.86

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

20 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

56 nC

- 65 C

+ 150 C

192 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STW24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/18.79
485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

Obtenga más información

Hoja de datos

485En existencias

S/18.79

S/10.45

S/7.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

STF11NM60ND
STMicroelectronics
1: S/22.58
107En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A

Obtenga más información

Hoja de datos

107En existencias

S/22.58

S/11.18

S/10.19

S/9.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

STD11NM60ND
STMicroelectronics
1: S/19.87
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STD11NM60ND

N.º de artículo de Mouser
511-STD11NM60ND

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Cinta cortada

S/19.87

S/13.20

S/9.46

S/9.29

Ver

Envase tipo carrete

S/8.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

450 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

FDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics FDmesh Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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