STP11NM60ND
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511-STP11NM60ND
STP11NM60ND
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600V, 10A FDMesh II
Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Hoja de datos:
En existencias: 492
-
Existencias:
-
492 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
14 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (PEN)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| S/21.67 | S/21.67 | |
| S/11.35 | S/113.50 | |
| S/10.02 | S/1,002.00 | |
| S/8.99 | S/8,990.00 |
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8542319000
- MXHTS:
- 8542310399
- ECCN:
- EAR99
