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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

STF7N80K5
STMicroelectronics
1: S/12.51
985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

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Hoja de datos

985En existencias

S/12.51

S/8.13

S/5.98

S/4.99

S/4.34

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7N90K5
STMicroelectronics
1: S/13.24
868En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STF7N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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Hoja de datos

868En existencias

1,000En pedido

S/13.24

S/6.71

S/6.06

S/4.90

S/4.56

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5

STF8N80K5
STMicroelectronics
1: S/13.93
820En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF8N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF8N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6AMDmesh K5

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820En existencias

Más información disponible

S/13.93

S/7.05

S/6.36

S/5.16

S/4.73

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c

STFH18N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.94
504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFH18N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFH18N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide c

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Hoja de datos

504En existencias

S/12.94

S/7.48

S/5.46

S/4.64

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n

STFU24N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.72
584En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n

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Hoja de datos

584En existencias

S/13.72

S/6.88

S/6.19

S/5.03

S/4.90

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge

STFW12N120K5
STMicroelectronics
1: S/50.40
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW12N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW12N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-3PF packge

Hoja de datos

100En existencias

S/50.40

S/35.22

S/28.08

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

STFW38N65M5
STMicroelectronics
1: S/27.31
87En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package

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Hoja de datos

87En existencias

S/27.31

S/20.94

S/14.92

S/13.33

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

STFW3N170
STMicroelectronics
1: S/26.66
219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

Hoja de datos

219En existencias

Más información disponible

S/26.66

S/15.44

S/12.30

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package

STFW40N60M2
STMicroelectronics
1: S/27.69
415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW40N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFW40N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package

Obtenga más información

Hoja de datos

415En existencias

S/27.69

S/15.57

S/12.64

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

STFW8N120K5
STMicroelectronics
1: S/31.35
56En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW8N120K5

N.º de artículo de Mouser
511-STFW8N120K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package

Hoja de datos

56En existencias

S/31.35

S/23.18

S/16.30

S/14.75

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

IGBTs PowerMESH" IGBT

STGB14NC60KDT4
STMicroelectronics
1: S/8.99
549En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STGB14NC60KDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB14NC60KDT4

STMicroelectronics

IGBTs PowerMESH&#34 IGBT

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Hoja de datos

549En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/8.99

S/5.76

S/4.08

S/3.46

Envase tipo carrete

S/2.84

S/2.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed

STGB15H60DF
STMicroelectronics
1: S/12.81
506En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB15H60DF

N.º de artículo de Mouser
511-STGB15H60DF

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed

Hoja de datos

506En existencias

Cinta cortada

S/12.81

S/8.34

S/6.24

S/5.29

Envase tipo carrete

S/3.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package

STGB15M65DF2
STMicroelectronics
1: S/10.58
417En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB15M65DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGB15M65DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

417En existencias

Cinta cortada

S/10.58

S/6.84

S/4.69

S/3.73

Envase tipo carrete

S/3.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs EAS 180 mJ-400 V

STGB18N40LZT4
STMicroelectronics
1: S/10.66
330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB18N40LZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB18N40LZT4

STMicroelectronics

IGBTs EAS 180 mJ-400 V

Hoja de datos

330En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/10.66

S/6.88

S/4.69

S/3.84

Envase tipo carrete

S/3.53

S/3.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

STGB19NC60KDT4
STMicroelectronics
1: S/26.06
463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB19NC60KDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB19NC60KDT4

STMicroelectronics

IGBTs 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

Obtenga más información

Hoja de datos

463En existencias

Cinta cortada

S/26.06

S/18.62

S/13.55

Envase tipo carrete

S/12.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low loss IGBT

STGB20M65DF2
STMicroelectronics
1: S/11.52
306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB20M65DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGB20M65DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low loss IGBT

Hoja de datos

306En existencias

Cinta cortada

S/11.52

S/7.44

S/5.12

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

STGB30H60DFB
STMicroelectronics
1: S/14.15
59En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STGB30H60DFB

N.º de artículo de Mouser
511-STGB30H60DFB

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

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Hoja de datos

59En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/14.15

S/13.76

S/10.66

S/9.76

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package

STGB30H65DFB2
STMicroelectronics
1: S/12.21
793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB30H65DFB2

N.º de artículo de Mouser
511-STGB30H65DFB2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

793En existencias

Cinta cortada

S/12.21

S/7.91

S/5.63

S/4.69

Envase tipo carrete

S/4.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

STGB30M65DF2
STMicroelectronics
1: S/13.85
465En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STGB30M65DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGB30M65DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

Obtenga más información

Hoja de datos

465En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/13.85

S/9.03

S/6.28

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed

STGB30V60DF
STMicroelectronics
1: S/14.58
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB30V60DF

N.º de artículo de Mouser
511-STGB30V60DF

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed

Obtenga más información

Hoja de datos

251En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/14.58

S/9.55

S/6.62

S/5.72

Envase tipo carrete

S/5.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast

STGB3NC120HDT4
STMicroelectronics
1: S/9.80
1,309En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB3NC120HDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB3NC120HDT4

STMicroelectronics

IGBTs IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast

Hoja de datos

1,309En existencias

Cinta cortada

S/9.80

S/6.32

S/4.28

S/3.42

Envase tipo carrete

S/3.21

S/3.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed

STGB40H65FB
STMicroelectronics
1: S/15.70
688En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB40H65FB

N.º de artículo de Mouser
511-STGB40H65FB

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed

Obtenga más información

Hoja de datos

688En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/15.70

S/10.28

S/7.18

S/6.32

Envase tipo carrete

S/5.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp

STGB7NC60HDT4
STMicroelectronics
1: S/12.90
1,031En existencias
951En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STGB7NC60HDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB7NC60HD

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp

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Hoja de datos

1,031En existencias

951En pedido

Cinta cortada

S/12.90

S/8.34

S/5.93

S/4.99

Envase tipo carrete

S/4.60

S/4.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET

STGB8NC60KDT4
STMicroelectronics
1: S/10.19
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB8NC60KDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB8NC60KDT4

STMicroelectronics

IGBTs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

860En existencias

Cinta cortada

S/10.19

S/6.41

S/4.21

S/3.34

Envase tipo carrete

S/2.57

S/2.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs N Ch 600V 10A

STGD10NC60KDT4
STMicroelectronics
1: S/8.86
1,182En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD10NC60KDT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGD10NC60KDT4

STMicroelectronics

IGBTs N Ch 600V 10A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,182En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/8.86

S/5.68

S/3.82

S/3.07

Envase tipo carrete

S/2.52

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)