Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N065DM9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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MOSFETs
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PowerFLAT-4
Diodos Schottky de SiC 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
STPSC6G065D
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SiC Schottky Diodes
Through Hole
TO-220AC-2
Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
STPSC4G065D
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Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
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SiC Schottky Diodes
Through Hole
TO-220AC-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STL059N4S8AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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MOSFETs
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
ST8L65N050DM9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
STWA60N035M9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
STL165N10F8AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
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S/17.42
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
STGYA50M120DF3
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S/25.03
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511-STGYA50M120DF3
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IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
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S/25.03
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
TN4050HP-12WY
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511-TN4050HP-12WY
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SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
722 En existencias
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S/20.60
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SCRs
Through Hole
TO-247-3
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD54008L-E
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511-PD54008L-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
3,796 En existencias
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S/36.03
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S/25.93
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S/22.32
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S/22.32
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerFLAT (5x5)
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
SM15T39CAY
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1:
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511-SM15T39CAY
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
46,469 En existencias
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S/4.86
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S/3.73
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SMC (DO-214AB)
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
STD888T4
STMicroelectronics
1:
S/3.48
71,744 En existencias
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511-STD888T4
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor
71,744 En existencias
1
S/3.48
10
S/2.37
100
S/1.61
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S/1.24
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S/0.985
5,000
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S/1.12
5,000
S/0.864
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
STL130N6F7
STMicroelectronics
1:
S/12.04
20,733 En existencias
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511-STL130N6F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
20,733 En existencias
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1
S/12.04
10
S/7.78
100
S/5.38
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S/4.39
1,000
S/4.08
3,000
S/4.08
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
STP45N40DM2AG
STMicroelectronics
1:
S/32.68
4,720 En existencias
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511-STP45N40DM2AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
4,720 En existencias
1,000 En pedido
1
S/32.68
10
S/17.80
100
S/16.34
500
S/15.91
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
STP60N043DM9
STMicroelectronics
1:
S/46.01
931 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP60N043DM9
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
931 En existencias
1
S/46.01
10
S/25.89
100
S/24.94
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Min.: 1
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS EMI Filter ESD
ESDALC6V1-5P6
STMicroelectronics
1:
S/0.645
130,370 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-ESDALC6V1-5P6
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS EMI Filter ESD
130,370 En existencias
1
S/0.645
10
S/0.546
3,000
S/0.443
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Detalles
SOT-666-6
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
STMicroelectronics
1:
S/65.62
1,546 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1,546 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/65.62
10
S/46.44
100
S/43.13
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
PD57060-E
STMicroelectronics
1:
S/247.34
870 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
870 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/247.34
10
S/202.96
100
S/200.68
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W, 64 V TVS
SMC30J64A
STMicroelectronics
1:
S/5.33
3,998 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-SMC30J64A
STMicroelectronics
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W, 64 V TVS
3,998 En existencias
1
S/5.33
10
S/4.05
100
S/2.83
500
S/2.29
2,500
S/2.04
5,000
Ver
1,000
S/2.26
5,000
S/1.87
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
SMC (DO-214AB)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
STMicroelectronics
1:
S/18.53
2,525 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD80N340K6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
2,525 En existencias
1
S/18.53
10
S/12.21
100
S/8.64
500
S/7.91
1,000
S/7.40
2,500
S/7.35
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
STL320N4LF8
STMicroelectronics
1:
S/12.81
4,583 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL320N4LF8
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET
4,583 En existencias
1
S/12.81
10
S/8.08
100
S/6.02
500
S/5.12
1,000
S/4.47
3,000
S/4.43
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
STD18NF25
STMicroelectronics
1:
S/12.00
18,017 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD18NF25
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II
18,017 En existencias
1
S/12.00
10
S/7.78
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S/5.38
500
S/4.39
1,000
S/4.09
2,500
S/4.09
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Min.: 1
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
STL60N10F7
STMicroelectronics
1:
S/8.04
27,481 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL60N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
27,481 En existencias
1
S/8.04
10
S/5.16
100
S/3.45
500
S/2.73
3,000
S/2.33
6,000
Ver
1,000
S/2.52
6,000
S/2.32
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
STD47N10F7AG
STMicroelectronics
1:
S/10.45
18,972 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD47N10F7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
18,972 En existencias
1
S/10.45
10
S/6.75
100
S/4.60
500
S/3.67
2,500
S/3.56
10,000
Ver
1,000
S/3.56
10,000
S/3.55
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)