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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN power transistor

STB13007DT4
STMicroelectronics
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STB13007DT4

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511-STB13007DT4

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN power transistor

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SMD/SMT

D2PAK-3

NPN

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package

STB130N6F7
STMicroelectronics
1: S/10.97
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STB130N6F7

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511-STB130N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK package

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S/10.97

S/7.05

S/4.86

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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STB14N80K5
STMicroelectronics
1: S/17.97
443En existencias

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STB14N80K5

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511-STB14N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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S/17.97

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH

STB14NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/22.62
441En existencias

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STB14NK60ZT4

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511-STB14NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH

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S/22.62

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

STB18N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.07
920En existencias

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STB18N60M2

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511-STB18N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

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S/13.07

S/8.47

S/5.89

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S/4.56

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK

STB18NF30
STMicroelectronics
1: S/13.98
421En existencias

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STB18NF30

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511-STB18NF30

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK

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S/13.98

S/9.12

S/6.36

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

STB18NM80
STMicroelectronics
1: S/23.35
488En existencias

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STB18NM80

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511-STB18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh

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S/15.74

S/11.31

S/10.97

Envase tipo carrete

S/10.23

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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm

STB20N65M5
STMicroelectronics
1: S/18.32
152En existencias

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STB20N65M5

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511-STB20N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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STB20NM60T4
STMicroelectronics
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411En existencias

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STB20NM60T4

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511-STB20NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

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STB21N65M5
STMicroelectronics
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423En existencias

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STB21N65M5

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511-STB21N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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S/22.02

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SMD/SMT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB28N60DM2
STMicroelectronics
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STB28N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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S/12.08

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S/7.14

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB5N80K5
STMicroelectronics
1: S/12.00
700En existencias

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STB5N80K5

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511-STB5N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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S/12.00

S/7.78

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SMD/SMT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

STB6N80K5
STMicroelectronics
1: S/12.04
169En existencias

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STB6N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB6N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package

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S/12.04

S/7.78

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A

STB8N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.88
908En existencias

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STB8N65M5

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511-STB8N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A

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S/6.79

S/5.89

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S/5.50

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 1.5Ohm typ 5.2A Zener-protecte

STB9NK80Z
STMicroelectronics
1: S/11.91
290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB9NK80Z

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511-STB9NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 1.5Ohm typ 5.2A Zener-protecte

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S/11.91

S/7.70

S/5.29

S/4.34

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S/4.09

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 900V 1.1 8A Zener SuperMESH

STB9NK90Z
STMicroelectronics
1: S/22.70
303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB9NK90Z

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511-STB9NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 900V 1.1 8A Zener SuperMESH

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S/22.70

S/16.47

S/11.83

S/11.57

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S/10.79

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

STD10P10F6
STMicroelectronics
1: S/5.68
388En existencias

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STD10P10F6

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511-STD10P10F6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

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S/5.68

S/3.53

S/2.34

S/1.84

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S/1.46

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD11N50M2
STMicroelectronics
1: S/6.45
371En existencias

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STD11N50M2

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511-STD11N50M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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S/6.45

S/4.09

S/2.72

S/2.13

S/1.94

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S/1.74

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD11N60DM2
STMicroelectronics
1: S/9.85
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STD11N60DM2

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511-STD11N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/6.32

S/4.29

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

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STD11N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.46
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STD11N65M2

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511-STD11N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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S/4.39

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S/2.94

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

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STD11N65M5
STMicroelectronics
1: S/10.79
1,127En existencias

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STD11N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STD11N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS

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S/6.97

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S/3.73

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S/3.54

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N50M2
STMicroelectronics
1: S/8.94
676En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N50M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N50M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/8.94

S/5.72

S/3.86

S/3.07

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.67

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Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.42
422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD12N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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S/9.42

S/6.02

S/4.09

S/3.26

S/3.13

Envase tipo carrete

S/2.78

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) H/V FST SWCH PW TRNS NPN

STD13003T4
STMicroelectronics
1: S/5.25
1,613En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD13003T4

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511-STD13003T4

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) H/V FST SWCH PW TRNS NPN

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S/5.25

S/2.95

S/1.99

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.26

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BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

NPN

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in

STD14NM50NAG
STMicroelectronics
1: S/10.19
1,063En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD14NM50NAG

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511-STD14NM50NAG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in

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S/10.19

S/6.45

S/4.60

S/3.75

S/3.73

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S/3.60

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)