IGBTs 30A 600v IGBT
STGW30NC60KD
STMicroelectronics
1:
S/32.16
535 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW30NC60KD
STMicroelectronics
IGBTs 30A 600v IGBT
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S/32.16
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S/20.55
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
STGW30V60DF
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1:
S/16.04
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N.º de artículo de Mouser 511-STGW30V60DF
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IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
1,033 En existencias
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S/16.04
10
S/8.77
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
STGW40H120DF2
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N.º de artículo de Mouser 511-STGW40H120DF2
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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S/32.90
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
STGW60H65DFB
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S/21.54
834 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW60H65DFB
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IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
834 En existencias
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S/21.54
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S/12.30
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
STGW60V60DF
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N.º de artículo de Mouser 511-STGW60V60DF
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IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
1,016 En existencias
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S/20.51
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S/11.44
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
+1 imagen
STGW75M65DF2
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675 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 511-STGW75M65DF2
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
675 En existencias
600 En pedido
1
S/28.04
10
S/17.20
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S/14.36
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
STGW80H65DFB
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1:
S/25.97
4,237 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW80H65DFB
STMicroelectronics
IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
4,237 En existencias
1
S/25.97
10
S/14.75
100
S/11.74
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
+1 imagen
STGWA40H120DF2
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1:
S/25.59
705 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGWA40H120DF2
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
705 En existencias
1
S/25.59
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S/14.53
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S/11.35
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
STGWA50IH65DF
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1:
S/20.12
990 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGWA50IH65DF
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
990 En existencias
1
S/20.12
10
S/13.42
100
S/9.93
600
S/8.73
1,200
S/8.69
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
+1 imagen
STGWA50M65DF2
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1:
S/22.19
692 En existencias
950 En pedido
N.º de artículo de Mouser 511-STGWA50M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
692 En existencias
950 En pedido
1
S/22.19
10
S/13.07
100
S/10.84
600
S/9.98
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
STGYA120M65DF2AG
STMicroelectronics
1:
S/37.93
515 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGYA120M65DF2AG
STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
515 En existencias
1
S/37.93
10
S/23.48
100
S/19.18
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
STGYA50H120DF2
STMicroelectronics
1:
S/27.31
490 En existencias
600 En pedido
N.º de artículo de Mouser 511-STGYA50H120DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
490 En existencias
600 En pedido
1
S/27.31
10
S/19.14
120
S/16.38
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
STH10N80K5-2AG
STMicroelectronics
1:
S/20.00
1,254 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH10N80K5-2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
1,254 En existencias
1
S/20.00
10
S/13.29
100
S/9.50
500
S/8.90
1,000
S/7.87
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STH12N120K5-2
STMicroelectronics
1:
S/51.08
1,019 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH12N120K5-2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package
1,019 En existencias
1
S/51.08
10
S/35.60
100
S/30.49
1,000
S/28.47
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in
STH13N120K5-2AG
STMicroelectronics
1:
S/47.95
1,964 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH13N120K5-2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in
1,964 En existencias
1
S/47.95
10
S/33.24
100
S/27.95
1,000
S/26.10
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
1:
S/23.31
1,005 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH275N8F7-6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
1,005 En existencias
1
S/23.31
10
S/15.57
100
S/11.14
500
S/10.75
1,000
S/9.98
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Carrete :1,000
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
STH315N10F7-2
STMicroelectronics
1:
S/22.32
854 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH315N10F7-2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
854 En existencias
1
S/22.32
10
S/14.84
100
S/10.62
500
S/10.15
1,000
S/9.25
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Carrete :1,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
STH315N10F7-6
STMicroelectronics
1:
S/21.72
2,061 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH315N10F7-6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
2,061 En existencias
1
S/21.72
10
S/14.45
100
S/10.32
500
S/9.80
1,000
S/9.25
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Carrete :1,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
STL100N10F7
STMicroelectronics
1:
S/13.03
2,097 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL100N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG
2,097 En existencias
1
S/13.03
10
S/8.47
100
S/5.85
500
S/4.90
3,000
S/4.56
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL100N8F7
STMicroelectronics
1:
S/12.69
7,245 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL100N8F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
7,245 En existencias
1
S/12.69
10
S/8.21
100
S/5.68
500
S/4.73
1,000
S/4.64
3,000
S/4.39
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
STL110N10F7
STMicroelectronics
1:
S/12.34
1,878 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL110N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
1,878 En existencias
1
S/12.34
10
S/8.00
100
S/5.50
500
S/4.56
3,000
S/4.24
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i
STL117N4LF7AG
STMicroelectronics
1:
S/9.85
4,194 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL117N4LF7AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i
4,194 En existencias
1
S/9.85
10
S/5.55
100
S/4.69
500
S/4.39
1,000
S/3.83
3,000
S/2.58
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in
STL120N4F6AG
STMicroelectronics
1:
S/11.31
9,632 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL120N4F6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in
9,632 En existencias
1
S/11.31
10
S/7.31
100
S/5.03
500
S/4.03
1,000
S/3.86
3,000
S/3.76
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
STL120N8F7
STMicroelectronics
1:
S/12.94
7,211 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL120N8F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
7,211 En existencias
1
S/12.94
10
S/8.39
100
S/5.85
500
S/4.90
1,000
S/4.77
3,000
S/4.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI
STL12P6F6
STMicroelectronics
1:
S/5.81
4,747 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL12P6F6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI
4,747 En existencias
1
S/5.81
10
S/3.67
100
S/2.43
500
S/1.90
1,000
S/1.72
3,000
S/1.51
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
P-Channel
Perú
