Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
STF33N60DM2
STMicroelectronics
1:
S/20.08
1,225 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STF33N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
1,225 En existencias
1
S/20.08
10
S/10.49
100
S/9.55
500
S/8.60
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH
STF3NK80Z
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1:
S/12.04
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N.º de artículo de Mouser 511-STF3NK80Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5Amp Zener SuperMESH
1,716 En existencias
1
S/12.04
10
S/6.28
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S/4.52
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S/3.86
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
STF43N60DM2
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N.º de artículo de Mouser 511-STF43N60DM2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
1,081 En existencias
1
S/23.74
10
S/13.03
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S/11.91
1,000
S/10.88
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
STF57N65M5
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N.º de artículo de Mouser 511-STF57N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
1,996 En existencias
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S/43.00
10
S/23.87
100
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
STF5NK100Z
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N.º de artículo de Mouser 511-STF5NK100Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
940 En existencias
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S/20.98
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S/10.97
100
S/10.19
500
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
STF6N95K5
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1:
S/11.52
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N.º de artículo de Mouser 511-STF6N95K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
1,730 En existencias
1
S/11.52
10
S/5.38
100
S/4.73
500
S/3.93
2,000
S/3.75
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
STFW3N150
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S/19.01
1,374 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFW3N150
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
1,374 En existencias
1
S/19.01
10
S/10.54
100
S/7.65
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
STFW4N150
STMicroelectronics
1:
S/28.55
1,375 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFW4N150
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
1,375 En existencias
1
S/28.55
10
S/16.64
100
S/13.46
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
STFW69N65M5
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1:
S/62.61
338 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STFW69N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
338 En existencias
1
S/62.61
10
S/40.29
100
S/37.80
600
S/34.36
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK packa
360°
+6 imágenes
STGB50H65FB2
STMicroelectronics
1:
S/12.00
5,146 En existencias
4,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 511-STGB50H65FB2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK packa
5,146 En existencias
4,000 En pedido
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Existencias:
5,146 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,000 Se espera el 18/05/2026
2,000 Se espera el 6/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
15 Semanas
1
S/12.00
10
S/7.74
100
S/5.55
500
S/4.64
1,000
S/4.00
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IGBT Transistors
IGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
STGD20N45LZAG
STMicroelectronics
1:
S/8.39
3,529 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD20N45LZAG
STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
3,529 En existencias
1
S/8.39
10
S/5.38
100
S/3.62
500
S/2.87
1,000
S/2.63
2,500
S/2.53
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Carrete :2,500
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
IGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
360°
+6 imágenes
STGD25N36LZAG
STMicroelectronics
1:
S/8.64
2,485 En existencias
2,490 En pedido
N.º de artículo de Mouser 511-STGD25N36LZAG
STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade 360 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
2,485 En existencias
2,490 En pedido
1
S/8.64
10
S/5.55
100
S/3.82
500
S/3.24
1,000
S/2.70
2,500
S/2.57
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Carrete :2,500
Detalles
IGBT Transistors
IGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
STGD25N40LZAG
STMicroelectronics
1:
S/8.39
2,789 En existencias
4,987 En pedido
N.º de artículo de Mouser 511-STGD25N40LZAG
STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
2,789 En existencias
4,987 En pedido
1
S/8.39
10
S/5.38
100
S/3.62
500
S/2.87
1,000
S/2.67
2,500
S/2.43
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
STGD5NB120SZT4
STMicroelectronics
1:
S/10.19
3,478 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD5NB120SZ
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
3,478 En existencias
1
S/10.19
10
S/6.54
100
S/4.47
500
S/3.57
1,000
S/3.56
2,500
S/3.26
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
360°
+5 imágenes
STGD6NC60H-1
STMicroelectronics
1:
S/7.78
3,058 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD6NC60H-1
STMicroelectronics
IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
3,058 En existencias
1
S/7.78
10
S/3.50
100
S/3.14
500
S/2.62
1,000
Ver
1,000
S/2.22
3,000
S/2.09
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
IPAK-3
IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
STGD7NB60ST4
STMicroelectronics
1:
S/12.30
1,783 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD7NB60ST4
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
1,783 En existencias
1
S/12.30
10
S/7.96
100
S/5.50
500
S/4.56
1,000
S/4.39
2,500
S/4.11
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,500
Detalles
IGBT Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp
STGE200NB60S
STMicroelectronics
1:
S/111.71
97 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGE200NB60S
STMicroelectronics
Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp
97 En existencias
1
S/111.71
10
S/83.55
100
S/80.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
ISOTOP-4
IGBTs N-Ch 1200 Volt 3 Amp
STGF3NC120HD
STMicroelectronics
1:
S/10.49
5,316 En existencias
1,384 En pedido
N.º de artículo de Mouser 511-STGF3NC120HD
STMicroelectronics
IGBTs N-Ch 1200 Volt 3 Amp
5,316 En existencias
1,384 En pedido
1
S/10.49
10
S/5.16
100
S/4.64
500
S/3.69
1,000
S/3.44
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3 FP
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
360°
+6 imágenes
STGF7H60DF
STMicroelectronics
1:
S/8.00
4,862 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGF7H60DF
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
4,862 En existencias
1
S/8.00
10
S/5.07
100
S/3.38
500
S/2.77
1,000
Ver
1,000
S/2.43
2,000
S/2.20
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
STGF7NB60SL
STMicroelectronics
1:
S/9.37
3,004 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGF7NB60SL
STMicroelectronics
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
3,004 En existencias
1
S/9.37
10
S/4.56
100
S/4.08
500
S/3.66
1,000
Ver
1,000
S/3.05
2,000
S/2.91
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3 FP
IGBTs PowerMESH TM IGBT
STGP10NC60HD
STMicroelectronics
1:
S/9.93
3,819 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP10NC60HD
STMicroelectronics
IGBTs PowerMESH TM IGBT
3,819 En existencias
1
S/9.93
10
S/4.86
100
S/4.39
500
S/3.47
1,000
Ver
1,000
S/3.19
5,000
S/3.16
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
STGP30H60DFB
STMicroelectronics
1:
S/12.34
2,695 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP30H60DFB
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
2,695 En existencias
1
S/12.34
10
S/6.11
100
S/5.50
500
S/4.47
1,000
S/4.29
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3
IGBTs IGBT
STGP7NC60HD
STMicroelectronics
1:
S/9.37
3,269 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP7NC60HD
STMicroelectronics
IGBTs IGBT
3,269 En existencias
1
S/9.37
10
S/4.56
100
S/3.65
500
S/2.99
1,000
Ver
1,000
S/2.62
2,000
S/2.54
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-220-3 FP
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
STGW25H120DF2
STMicroelectronics
1:
S/20.47
1,333 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW25H120DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
1,333 En existencias
1
S/20.47
10
S/11.44
100
S/8.43
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
STGW25H120F2
STMicroelectronics
1:
S/27.09
617 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW25H120F2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
617 En existencias
1
S/27.09
10
S/15.95
100
S/12.81
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
Perú
