Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 5 Amp
STB8NM60T4
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1:
S/18.10
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N.º de artículo de Mouser 511-STB8NM60
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 5 Amp
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
STF16N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
STD5NM60-1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
1,997 En existencias
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S/14.66
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
STU3N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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S/8.04
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S/3.28
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S/2.74
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistores Darlington Seven darlington 3V SUPPLY
ULQ2001A
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Transistores Darlington Seven darlington 3V SUPPLY
2,608 En existencias
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S/6.06
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Darlington Transistors
Through Hole
PDIP-16
NPN
Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET
A2U12M12W2-F2
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NRND
N.º de artículo de Mouser 511-A2U12M12W2-F2
NRND
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Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET
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MOSFET Modules
SiC
Press Fit
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
STL26NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-HV-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
STD9NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
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S/4.82
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistores Darlington Eight NPN Array
ULQ2801A
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N.º de artículo de Mouser 511-ULQ2801A
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Transistores Darlington Eight NPN Array
754 En existencias
1
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S/12.38
100
S/10.62
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S/10.19
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Darlington Transistors
Through Hole
PDIP-18
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP
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STN3NF06L
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP
46,759 En existencias
1
S/6.84
10
S/4.34
100
S/2.90
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S/2.28
1,000
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S/1.89
1,000
S/2.08
2,000
S/2.02
4,000
S/1.89
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
SCT040TO65G3
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MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
37 En existencias
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S/41.11
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S/31.05
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S/21.50
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
TOLL-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
STF80N1K1K6
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N.º de artículo de Mouser 511-STF80N1K1K6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
1,003 En existencias
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1
S/10.36
10
S/5.07
100
S/4.52
500
S/3.63
1,000
S/3.33
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
STF80N600K6
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S/13.80
1,047 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 511-STF80N600K6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
1,047 En existencias
1
S/13.80
10
S/6.92
100
S/6.79
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S/5.68
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S/4.99
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
+4 imágenes
STGHU30M65DF2AG
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1:
S/19.05
540 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 511-STGHU30M65DF2AG
Nuevo producto
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IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
540 En existencias
600 En pedido
1
S/19.05
10
S/12.64
100
S/8.94
600
S/7.70
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IGBTs
Si
SMD/SMT
HU3PAK-7
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
STGWA30M65DF2AG
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1:
S/18.02
766 En existencias
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N.º de artículo de Mouser 511-STGWA30M65DF2AG
Nuevo producto
STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
766 En existencias
1
S/18.02
10
S/12.13
120
S/8.99
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S/8.00
1,020
S/7.10
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IGBTs
Si
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
STK615N4F8AG
STMicroelectronics
1:
S/20.77
496 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-STK615N4F8AG
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
496 En existencias
1
S/20.77
10
S/13.80
100
S/9.80
500
S/9.25
1,000
S/8.73
2,000
S/8.60
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Detalles
MOSFETs
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
STL160N6LF7
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1:
S/9.03
910 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser 511-STL160N6LF7
Nuevo producto
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET
910 En existencias
1
S/9.03
10
S/5.76
100
S/3.90
500
S/3.10
1,000
S/2.89
3,000
S/2.75
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Detalles
MOSFETs
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40 V StripFET II Pwr Mos
STP150NF04
STMicroelectronics
1:
S/10.71
870 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP150NF04
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40 V StripFET II Pwr Mos
870 En existencias
1
S/10.71
10
S/7.27
100
S/6.24
500
S/5.25
2,000
S/5.12
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
2N2222AUB1
STMicroelectronics
1:
S/398.09
144 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-2N2222AUB1
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
144 En existencias
1
S/398.09
10
S/373.89
100
S/324.09
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No aplicable
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
UB-4
NPN
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
2N2907AUB1
STMicroelectronics
1:
S/480.05
21 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-2N2907AUB1
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
21 En existencias
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No aplicable
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
UB-4
PNP
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
2N5154S1
STMicroelectronics
1:
S/1,007.19
27 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-2N5154S1
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
27 En existencias
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No aplicable
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SMD.5
NPN
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
360°
+7 imágenes
GWA40MS120DF4AG
STMicroelectronics
1:
S/28.64
560 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-GWA40MS120DF4AG
STMicroelectronics
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
560 En existencias
1
S/28.64
10
S/14.23
120
S/14.19
510
S/14.10
1,020
S/13.50
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Detalles
IGBT Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
360°
+5 imágenes
SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1:
S/88.37
136 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
136 En existencias
1
S/88.37
10
S/63.47
100
S/61.66
1,000
S/57.58
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Detalles
SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
360°
+6 imágenes
SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1:
S/66.56
169 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
169 En existencias
1
S/66.56
10
S/47.00
100
S/45.24
500
S/42.83
1,000
S/39.99
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
360°
+6 imágenes
SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1:
S/67.17
532 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
532 En existencias
1
S/67.17
10
S/47.43
100
S/40.42
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Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
Perú
