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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1: S/828.35
18En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L15120CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

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18En existencias

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S/828.35

S/678.63

Envase tipo carrete

S/678.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

LBB-5

Dual N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

STP15N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/11.27
1,962En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STP15N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STP15N60M2-EP

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack

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1,962En existencias

S/11.27

S/5.85

S/4.77

S/4.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

STLD125N4F6AG
STMicroelectronics
1: S/13.80
2,487En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STLD125N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STLD125N4F6AG

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

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2,487En existencias

Cinta cortada

S/13.80

S/9.03

S/6.36

S/5.42

S/4.99

Envase tipo carrete

S/4.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

STD15N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/9.98
2,461En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STD15N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STD15N60M2-EP

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

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2,461En existencias

Cinta cortada

S/9.98

S/5.50

S/4.18

S/3.74

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

STB24NM60N
STMicroelectronics
1: S/30.70
223En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB24NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II

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223En existencias

Cinta cortada

S/30.70

S/20.73

S/15.52

Envase tipo carrete

S/14.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

STI13NM60N
STMicroelectronics
1: S/11.61
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STI13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

Hoja de datos

913En existencias

S/11.61

S/7.44

S/5.07

S/4.21

S/3.65

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

STGW50H65DFB2-4
STMicroelectronics
1: S/22.79
564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW50H65DFB2-4

N.º de artículo de Mouser
511-STGW50H65DFB2-4

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

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564En existencias

S/22.79

S/12.90

S/9.72

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

STGF5H60DF
STMicroelectronics
1: S/6.97
2,258En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGF5H60DF

N.º de artículo de Mouser
511-STGF5H60DF

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed

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2,258En existencias

S/6.97

S/3.33

S/2.95

S/2.34

S/1.92

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220FP-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU26N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.27
922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

Hoja de datos

922En existencias

S/15.27

S/9.93

S/7.61

S/6.36

S/5.55

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT350R70GTK
STMicroelectronics
1: S/7.27
677En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SGT350R70GTK

N.º de artículo de Mouser
511-SGT350R70GTK

Nuevo producto

STMicroelectronics

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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677En existencias

Cinta cortada

S/7.27

S/4.86

S/4.06

S/3.90

Envase tipo carrete

S/3.64

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

GaN FETs

GaN

SMD/SMT

DPAK-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

ST8L60N065DM9
STMicroelectronics
1: S/27.86
234En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L60N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L60N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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234En existencias

Cinta cortada

S/27.86

S/19.09

S/13.98

Envase tipo carrete

S/13.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

ST8L65N044M9
STMicroelectronics
1: S/33.11
225En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N044M9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N044M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

225En existencias

Cinta cortada

S/33.11

S/22.58

S/17.24

Envase tipo carrete

S/16.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N240K6
STMicroelectronics
1: S/25.54
1,017En existencias
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N240K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N240K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

1,017En existencias

1,000En pedido

S/25.54

S/19.31

S/15.57

S/13.85

S/12.26

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1: S/741.75
110En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
RF5L08350CB4

N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4

NRND

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

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Hoja de datos

110En existencias

Cinta cortada

S/741.75

S/629.86

Envase tipo carrete

S/597.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 120

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

B4E-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH

STP7NK40Z
STMicroelectronics
1: S/10.06
2,316En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7NK40Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP7NK40Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

2,316En existencias

S/10.06

S/3.64

S/3.43

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET

A2TBH45M65W3-FC
STMicroelectronics
1: S/340.73
36En existencias
18En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
A2TBH45M65W3-FC

N.º de artículo de Mouser
511-A2TBH45M65W3-FC

Nuevo producto

STMicroelectronics

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET

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Hoja de datos

36En existencias

18En pedido

S/340.73

S/307.15

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Press Fit

ACEPACK

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A

A2U8M12W3-FC
STMicroelectronics
1: S/904.63
18En existencias
18En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
A2U8M12W3-FC

N.º de artículo de Mouser
511-A2U8M12W3-FC

Nuevo producto

STMicroelectronics

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A

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Hoja de datos

18En existencias

18En pedido

S/904.63

S/774.04

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

SiC

Press Fit

56.7 mm x 48 mm

N-Channel

Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC

M1P45M12W2-1LA
STMicroelectronics
1: S/242.09
122En existencias
125En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
M1P45M12W2-1LA

N.º de artículo de Mouser
511-M1P45M12W2-1LA

Nuevo producto

STMicroelectronics

Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC

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Hoja de datos

122En existencias

125En pedido

S/242.09

S/202.75

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

SiC

Press Fit

ACEPACK DMT-32

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: S/89.18
637En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT012W90G3-4AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT012W90G3-4AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

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Hoja de datos

637En existencias

S/89.18

S/58.18

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: S/100.23
817En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT016H120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT016H120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

817En existencias

Cinta cortada

S/100.23

S/72.54

S/72.41

S/72.37

Envase tipo carrete

S/67.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: S/88.19
436En existencias
600En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT020HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT020HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

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Hoja de datos

436En existencias

600En pedido

Cinta cortada

S/88.19

S/73.10

S/63.21

Envase tipo carrete

S/58.70

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: S/54.48
1,068En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT027H65G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT027H65G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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Hoja de datos

1,068En existencias

Cinta cortada

S/54.48

S/38.18

S/33.20

Envase tipo carrete

S/31.00

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: S/58.09
617En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040HU120G3AG

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040HU120G3AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

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Hoja de datos

617En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/58.09

S/40.68

S/35.86

Envase tipo carrete

S/35.17

S/33.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: S/36.68
1,764En existencias
1,799En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT055TO65G3

N.º de artículo de Mouser
511-SCT055TO65G3

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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Hoja de datos

1,764En existencias

1,799En pedido

Cinta cortada

S/36.68

S/25.16

S/22.19

S/20.17

S/18.45

Envase tipo carrete

S/18.45

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT

STGIPNS4C60T-H
STMicroelectronics
1: S/38.10
450En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STGIPNS4C60T-H

N.º de artículo de Mouser
511-STGIPNS4C60T-H

Nuevo producto

STMicroelectronics

IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT

Obtenga más información

Hoja de datos

450En existencias

Cinta cortada

S/38.10

S/26.06

S/21.07

Envase tipo carrete

S/19.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 400

IGBTs

SMD/SMT

NSDIP-26

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)