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STMicroelectronics Transistores

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a TO-220 package

STP7N105K5
STMicroelectronics
1: S/15.70
897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP7N105K5

STMicroelectronics

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897En existencias

S/15.70

S/7.96

S/7.18

S/6.84

S/5.89

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package

STQ2HNK60ZR-AP
STMicroelectronics
1: S/5.07
3,357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STQ2HNK60ZR-AP

N.º de artículo de Mouser
511-STQ2HNK60ZR-AP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package

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3,357En existencias

S/5.07

S/3.59

S/2.41

S/1.90

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.49

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

MOSFETs

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

STW88N65M5-4
STMicroelectronics
1: S/66.22
166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW88N65M5-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW88N65M5-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

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166En existencias

S/66.22

S/45.62

S/45.49

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET

STW9NK95Z
STMicroelectronics
1: S/17.20
777En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW9NK95Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW9NK95Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET

Hoja de datos

777En existencias

S/17.20

S/9.46

S/6.67

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO

2SD882
STMicroelectronics
1: S/5.50
3,525En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SD882

N.º de artículo de Mouser
511-2SD882

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO

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3,525En existencias

S/5.50

S/2.58

S/2.29

S/1.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors

Through Hole

SOT-32-3

NPN

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

PD55015TR-E
STMicroelectronics
1: S/93.53
576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015TR-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST

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576En existencias

Cinta cortada

S/93.53

S/70.18

S/65.58

Envase tipo carrete

S/64.46

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)

STB23NM50N
STMicroelectronics
1: S/20.77
476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB23NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STB23NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)

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476En existencias

Cinta cortada

S/20.77

S/16.21

S/11.61

S/11.31

Envase tipo carrete

S/10.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD10N60DM2
STMicroelectronics
1: S/8.43
2,122En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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2,122En existencias

Cinta cortada

S/8.43

S/5.42

S/3.63

S/2.88

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

STD5N62K3
STMicroelectronics
1: S/7.61
1,691En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A

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1,691En existencias

Cinta cortada

S/7.61

S/4.86

S/3.25

S/2.57

S/2.35

Envase tipo carrete

S/2.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

STF27N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/15.31
707En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF27N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STF27N60M2-EP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

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707En existencias

S/15.31

S/7.74

S/7.01

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

STF6N65K3
STMicroelectronics
1: S/4.86
795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N65K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N65K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

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795En existencias

S/4.86

S/4.77

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STF7N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.35
1,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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1,929En existencias

S/7.35

S/3.51

S/3.13

S/2.47

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen

STF7NM60N
STMicroelectronics
1: S/10.71
575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF7NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen

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575En existencias

S/10.71

S/6.11

S/5.93

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package

STGB15M65DF2
STMicroelectronics
1: S/10.58
1,417En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB15M65DF2

N.º de artículo de Mouser
511-STGB15M65DF2

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package

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1,417En existencias

Cinta cortada

S/10.58

S/6.84

S/4.69

S/3.73

Envase tipo carrete

S/3.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

STGB30H60DLLFBAG
STMicroelectronics
1: S/15.35
979En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STGB30H60DLLFBAG

N.º de artículo de Mouser
511-STGB30H60DLLFBAG

STMicroelectronics

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

Hoja de datos

979En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/15.35

S/10.06

S/7.05

S/6.15

Envase tipo carrete

S/5.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs

STGIB15CH60S-L
STMicroelectronics
1: S/60.59
121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGIB15CH60S-L

N.º de artículo de Mouser
511-STGIB15CH60S-L

STMicroelectronics

Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs

Hoja de datos

121En existencias

S/60.59

S/45.24

S/34.62

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

STGP20H60DF
STMicroelectronics
1: S/10.41
1,086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGP20H60DF

N.º de artículo de Mouser
511-STGP20H60DF

STMicroelectronics

IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT

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1,086En existencias

S/10.41

S/5.12

S/4.60

S/3.66

S/3.36

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT

STGWT40HP65FB
STMicroelectronics
1: S/14.32
848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGWT40HP65FB

N.º de artículo de Mouser
511-STGWT40HP65FB

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT

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848En existencias

S/14.32

S/7.78

S/5.20

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-3P-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL10N60M6
STMicroelectronics
1: S/10.15
1,767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL10N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STL10N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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1,767En existencias

Cinta cortada

S/10.15

S/6.54

S/4.47

S/3.59

S/3.29

Envase tipo carrete

S/3.23

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-4

N-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor

STN83003
STMicroelectronics
1: S/3.70
6,482En existencias
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STN83003

N.º de artículo de Mouser
511-STN83003

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor

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Hoja de datos

6,482En existencias

4,000En pedido

Cinta cortada

S/3.70

S/2.30

S/1.49

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.972

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-223-4

NPN

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP220N6F7
STMicroelectronics
1: S/12.56
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP220N6F7

N.º de artículo de Mouser
511-STP220N6F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

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Hoja de datos

1,000En existencias

S/12.56

S/5.89

S/5.63

S/4.56

S/4.34

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

STP24N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.92
1,036En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

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Hoja de datos

1,036En existencias

S/14.92

S/6.41

S/6.02

S/5.50

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

STP2N80K5
STMicroelectronics
1: S/4.64
2,828En existencias
2,000Se espera el 27/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP2N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

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2,828En existencias

2,000Se espera el 27/04/2026

S/4.64

S/2.73

S/2.55

S/2.27

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STP38N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.72
450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP38N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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Hoja de datos

450En existencias

S/13.72

S/11.57

S/11.52

S/11.44

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH Zener SuperMESH

STP4NK60ZFP
STMicroelectronics
1: S/10.41
1,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4NK60ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP4NK60ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,075En existencias

S/10.41

S/4.82

S/4.43

S/3.78

S/3.77

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)